Plasma-free metal-assisted chemical etching producing three-dimensional gallium nitride structures
Source abstract
Abstract
Gallium nitride (GaN) is a third-generation wide bandgap semiconductor well-suited for power electronics and ultraviolet optoelectronics.
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Research context
OpenAlex topics: GaN-based semiconductor devices and materials · Ga2O3 and related materials · Semiconductor materials and devices
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Affiliations
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798
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