A patterning technology of transfer-free graphene for transparent electrodes of near-ultraviolet light-emitting diodes
Source abstract
Abstract
A technology for the fabrication of transfer-free, patterned graphene on semiconductor or weakly catalytic metal substrate is presented, and the graphene transparent electrodes on GaN-based LED with 398 nm wavelength is fabricated accordingly.
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Research context
OpenAlex topics: Graphene research and applications · GaN-based semiconductor devices and materials · 2D Materials and Applications
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Affiliations
Key Laboratory of Optoelectronics Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China
Fujian Science & Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China, and College of Physics and Information Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350100, China
Quantum Device Physics Laboratory, Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Gothenburg 41296, Sweden
School of Physics and Electronic Information, Weifang University, Weifang 261061, China
Funding
National Key Research and Development Program of China · Fujian Science and Technology Innovation Laboratory for Optoelectronic Information of China
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