Influence of indium tin oxide residues on the electrical performance of hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors in the backplane of active-matrix displays
Source abstract
Abstract
Etching residues of crystallized indium tin oxide (ITO) films deteriorate thin-film transistor (TFT) characteristics and negatively affect the display images.
Only a short abstract or summary was supplied by the source.
Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Thin-Film Transistor Technologies · ZnO doping and properties · Transition Metal Oxide Nanomaterials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Beijing Key Laboratory of Materials Utilization of Nonmetallic Minerals and Solid Wastes National Laboratory of Mineral, Materials School of Materials Science and Technology, China University of Geosciences, Beijing 100083, China
Product Development Center, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China
Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Advanced Materials Institute, Shandong Provincial Key Laboratory of High Strength Lightweight Metallic Materials, Jinan 250014, China
Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille, Univ. Polytechnique Hauts-de-France, UMR 8520, IEMN, F-59000, Lille, France
Funding
National Natural Science Foundation of China · China Scholarship Council
References (60)
Show source-provided references
1. Hermann · IEEE · 2018 · 1
2. Murata · Int. J. Ind. Ergonomics · 2018 · 66 · 17710.1016/j.ergon.2018.03.010 ↗
3. Shim · Adv. Mater. · 2020 · 32 · 190716610.1002/adma.201907166 ↗
4. Chen · Light: Sci. Appl. · 2018 · 7 · 1716810.1038/lsa.2017.168 ↗
5. Huang · Light: Sci. Appl. · 2020 · 9 · 110.1038/s41377-019-0231-1 ↗
6. Zhang · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2019 · 11 · 4590310.1021/acsami.9b16782 ↗
7. Raniero · Thin Solid Films · 2005 · 487 · 271
8. Cui · Vacuum · 2008 · 82 · 150710.1016/j.vacuum.2008.03.061 ↗
9. Raniero · Thin Solid Films · 2006 · 511 · 29510.1016/j.tsf.2005.12.057 ↗
10. Tsai · Microelectron. Eng. · 2006 · 83 · 53610.1016/j.mee.2005.12.003 ↗
11. Su · Jpn. J. Appl. Phys. · 2018 · 57 · 01AE0510.7567/JJAP.57.01AE05 ↗
12. Qiao · Appl. Surf. Sci. · 2020 · 512 · 14478910.1016/j.apsusc.2019.144789 ↗
13. Zhou · Green Chem. · 2018 · 20 · 471010.1039/C8GC02755B ↗
14. Levchenko · Adv. Mater. · 2018 · 30 · 170222610.1002/adma.201702226 ↗
15. Yun · J. Cleaner Prod. · 2019 · 229 · 10410.1016/j.jclepro.2019.04.315 ↗
16. Dong · Materials · 2019 · 12 · 95810.3390/ma12060958 ↗
17. Chuang · J. Mater. Sci. Technol. · 2010 · 26 · 57710.1016/S1005-0302(10)60088-6 ↗
18. Kosarian · IEEJ Trans. Electr. Electron. Eng. · 2018 · 13 · 2710.1002/tee.22494 ↗
19. Samuelsson · Surf. Coat. Technol. · 2010 · 205 · 59110.1016/j.surfcoat.2010.07.041 ↗
20. Jeong · Thin Solid Films · 2020 · 709 · 13822610.1016/j.tsf.2020.138226 ↗
21. Schalk · Surf. Coat. Technol. · 2019 · 359 · 15510.1016/j.surfcoat.2018.12.058 ↗
22. Dogan · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2021 · 13 · 5450310.1021/acsami.1c14586 ↗
23. Kirkey · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2020 · 12 · 5459610.1021/acsami.0c14922 ↗
24. Abe · J. Vac. Sci. Technol., A · 2018 · 36 · 02C10210.1116/1.4998209 ↗
25. Du · ACS Omega · 2020 · 5 · 401410.1021/acsomega.9b03543 ↗
26. Kim · J. Inf. Disp. · 2014 · 15 · 9910.1080/15980316.2014.914982 ↗
27. Yu · Surf. Coat. Technol. · 2013 · 228 · S1910.1016/j.surfcoat.2012.10.001 ↗
28. Kim · NPG Asia Mater. · 2020 · 12 · 110.1038/s41427-019-0187-x ↗
29. Physica status solidi c - current topics in solid state physics , ed. H. Matsumura , K. Ohdaira , S. Nishizaki and R. E. I. Schropp , Wiley-VCH Verlag Gmbh , Weinheim , 2010 , vol 7(3–4), pp. 1132–1135
30. Xu · Appl. Phys. Lett. · 2011 · 99 · 25350110.1063/1.3670336 ↗
31. Kim · Thin Solid Films · 2010 · 518 · 635710.1016/j.tsf.2010.02.044 ↗
32. Zhou · Chin. J. Liq. Cryst. Disp · 2011 · 26 · 1910.3788/YJYXS20112601.0019 ↗
33. Haacke · J. Appl. Phys. · 1976 · 47 · 408610.1063/1.323240 ↗
34. Ma · J. Cryst. Growth · 2007 · 304 · 6410.1016/j.jcrysgro.2007.01.037 ↗
35. Bogdanowicz · Sensors · 2018 · 18 · 136110.3390/s18051361 ↗
36. Donley · Langmuir · 2002 · 18 · 45010.1021/la011101t ↗
37. Ishida · J. Appl. Phys. · 1993 · 73 · 434410.1063/1.352818 ↗
38. Zhang · Nat. Mater. · 2016 · 15 · 20410.1038/nmat4493 ↗
39. Rezalou · Appl. Surf. Sci. · 2018 · 448 · 51010.1016/j.apsusc.2018.04.034 ↗
40. Sunde · J. Mater. Chem. · 2012 · 22 · 1574010.1039/c2jm32000b ↗
41. Ota · Thin Solid Films · 2002 · 411 · 4210.1016/S0040-6090(02)00171-2 ↗
42. Ota · Surf. Coat. Technol. · 2003 · 169 · 52110.1016/S0257-8972(03)00168-3 ↗
43. Betz · Surf. Coat. Technol. · 2006 · 200 · 575110.1016/j.surfcoat.2005.08.144 ↗
44. Chen · Langmuir · 2013 · 29 · 1383610.1021/la4033282 ↗
45. Lee · Thin Solid Films · 2012 · 522 · 33010.1016/j.tsf.2012.09.010 ↗
46. Hsieh · Curr. Appl. Phys. · 2018 · 18 · 51210.1016/j.cap.2018.02.015 ↗
47. Panjan · Coatings · 2020 · 10 · 110.3390/coatings10050447 ↗
48. Kim · Sci. Rep. · 2018 · 8 · 910.1038/s41598-017-18427-2 ↗
49. King · Thin Solid Films · 2010 · 518 · 489810.1016/j.tsf.2010.03.031 ↗
50. Takahashi · Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 · 2007 · 46 · 128010.1143/JJAP.46.1280 ↗
51. Abadias · J. Vac. Sci. Technol., A · 2018 · 36 · 02080110.1116/1.5011790 ↗
52. Kim · NPG Asia Mater. · 2020 · 12 · 1310.1038/s41427-019-0190-2 ↗
53. Mozetic · Thin Solid Films · 2018 · 660 · 12010.1016/j.tsf.2018.05.046 ↗
54. Ho · Solid-State Electron. · 2016 · 116 · 13010.1016/j.sse.2015.10.006 ↗
55. De Meux · Phys. Rev. Appl. · 2018 · 9 · 05403910.1103/PhysRevApplied.9.054039 ↗
56. Powell · Appl. Phys. Lett. · 1983 · 43 · 59710.1063/1.94399 ↗
57. Huang · Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 · 2001 · 40 · L31610.1143/JJAP.40.L316 ↗
58. Tofflinger · Sol. Energy Mater. Sol. Cells · 2015 · 135 · 4910.1016/j.solmat.2014.09.024 ↗
59. Shringarpure · IEEE Trans. Electron Devices · 2007 · 54 · 178110.1109/TED.2007.899667 ↗
60. T.Hasumi , S.Takasugi , K.Kanoh and Y.Kobayashi , SID Symposium Digest of Technical Papers, Wiley Online Library, 2006, pp. 1547–1550