Interface and interlayer electron/exciton–phonon coupling of TMDs/InSe for efficient charge transfer and ultrafast dynamics: implications for field-effect devices
Source abstract
Abstract
Constructing multifunctional application-based TMDs/InSe homo/hetero-heterojunctions for improving absorption and transport properties: implications for field-effect devices.
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Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Semiconductor Quantum Structures and Devices · Perovskite Materials and Applications
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Affiliations
Key Laboratory of Photonic and Electric Bandgap Materials, Ministry of Education, School of Physics and Electronic Engineering, Harbin Normal University, Harbin, Heilongjiang Province, 150025, China
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