Effect of Cr³⁺ Dopant on Growth Habit and Optical Properties of Rapid Grown KDP Crystal

采用快速法生长了掺杂不同Cr 3+ 浓度的KDP晶体, 测试了KDP晶体(100)面在不同Cr 3+ 掺杂浓度下的生长速度及死区,表征了Cr 3+ 掺杂的KDP晶体的Cr 3+ 元素分布、透过光谱、散射颗粒分布和光损伤阈值. 实验表明Cr 3+ 易吸附在晶体(100)面, 从而增大了(100)生长死区, 并降低了(100)面生长速度. Cr 3+ 使快速生长的晶体产生柱、锥面生长区分界线. 元素分析表明Cr 3+ 更容易通过柱面生长进入晶体, 从而导致晶体在可见光波段及紫外波段透过率的降低,最明显的是在220、450和650nm三处吸收峰的出现. Cr 3+ 进入晶体后使晶体中散射颗粒增多, 基频和三倍频脉冲激光照射下晶体的损伤阈值随Cr 3+ 掺杂浓度的增加而降低,且柱面区的损伤阈值要低于锥面区的损伤阈值.