article·1997-01-01

Materiales de SiC obtenidos por sintetización sin presión

Marı́a Isabel Nieto, Rina María Alvarez Becerra Alvarez Becerra, P. Miranzo, R. Moreno

Abstract

En el presente trabajo se lleva a cabo un estudio de los parametros de procesamiento y sinterizacion de polvos de SiC en presencia de B y C como aditivos utilizando una tecnica de conformado convencional (prensado isostatico) seguida de sinterizacion sin presion en atmosfera inerte. Se estudia la influencia del tipo de polvo de partida (a-SiC, s-SiC) y del tipo y concentracion de aditivos en la evolucion de la densidad. Asimismo, se analiza el efecto que ejercen otros parametros, tales como el ciclo termico utilizado, la atmosfera de sinterizacion y la composicion del lecho en el que se introduce la muestra durante el tratamiento termico. A partir de observaciones microestructurales y de las determinaciones de densidad se compara el alcance y evolucion de la sinterizacion de materiales de a-SiC, s-SiC.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline

Research context

OpenAlex topics: Advanced ceramic materials synthesis · Silicon Carbide Semiconductor Technologies · Silicon and Solar Cell Technologies

SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.

References

Reference metadata was not supplied for this record.