article·1997-01-01

Fotoluminiscencia visible debida a capas de SiO2 implantadas con silicio y con carbono

M. López, B. Garrido, Sandrine Ferré, A. Pérez-Rodrı́guez, P. Ruterana, J.R. Morante

Abstract

Se han realizado implantaciones de silicio y de carbono + silicio en matrices aislantes de SIO2 termico, las cuales, despues de un recocido a alta temperatura precipitan en forma de nanocristales de tamanos comprendidos entre 30 y 60 A. Estas estructuras presentan una intensa fotoluminiscencia en el rojo profundo (1.4-1.6 eV) y el verde (2.0-2.2 eV). La energia e intensidad de las bandas depende fuertemente de la temperatura y duracion del recocido. Diferentes comportamientos se han encontrado para las bandas roja y verde, incluyendo la cinetica de desexcitacion y el origen estructural. Los experimentos de absorcion infrarroja, Raman y microscopia electronica demuestran que los nanocristales son los responsables de la banda roja mientras que agregados amorfos de carbono son los responsables de la verde.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline

Research context

OpenAlex topics: Silicon Nanostructures and Photoluminescence · Thin-Film Transistor Technologies · Nanowire Synthesis and Applications

SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.

References

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