journal article·1989-05

GaInP growth by chloride vapor phase epitaxy

Masataka Hoshino, Kuninori Kitahara, Kunihiko Kodama, Masashi Ozeki

Journal of Crystal Growth· Volume 96· Issue 1
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Abstract

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Research context

OpenAlex topics: Semiconductor Quantum Structures and Devices · Quantum Dots Synthesis And Properties · Advanced Semiconductor Detectors and Materials

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References (36)

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1. Ohba · J. Crystal Growth · 1986 · 77 · 37410.1016/0022-0248(86)90326-X ↗
2. Usui · Japan. J. Appl. Phys. · 1985 · 27 · L16310.1143/JJAP.24.L163 ↗
3. Cox · Electron. Letters · 1986 · 22 · 7310.1049/el:19860050 ↗
4. Wu · J. Appl. Phys. · 1985 · 58 · 1573
5. Kato · J. Crystal Growth · 1985 · 71 · 72810.1016/0022-0248(85)90383-5 ↗
6. Wu · J. Appl. Phys. · 1985 · 58 · 431710.1063/1.335518 ↗
7. Asahi · J. Appl. Phys. · 1982 · 53 · 492810.1063/1.331326 ↗
8. Nojima · J. Appl. Phys. · 1986 · 59 · 348910.1063/1.336819 ↗
9. Hsu · J. Crystal Growth · 1983 · 62 · 64810.1016/0022-0248(83)90413-X ↗
10. Iwamoto · J. Crystal Growth · 1984 · 68 · 2710.1016/0022-0248(84)90392-0 ↗
11. Minagawa · J. Crystal Growth · 1985 · 71 · 37710.1016/0022-0248(85)90094-6 ↗
12. Shealy · J. Appl. Phys. · 1986 · 48 · 242
13. Gomyo · J. Crystal Growth · 1986 · 77 · 36710.1016/0022-0248(86)90325-8 ↗
14. Kressel · J. Appl. Phys. · 1973 · 44 · 326610.1063/1.1662745 ↗
15. Ito · Trans. IEE Japan · 1974 · 94A · 45
16. Ohki · J. Crystal Growth · 1974 · 24/25 · 22410.1016/0022-0248(74)90312-1 ↗
17. Cox · J. Crystal Growth · 1986 · 79 · 90010.1016/0022-0248(86)90570-1 ↗
18. Rao · J. Appl. Phys. · 1987 · 61 · 649
19. Watanabe · Appl. Phys. Letters · 1987 · 50 · 90610.1063/1.98028 ↗
20. Watanabe · J. Appl. Phys. · 1986 · 60 · 103210.1063/1.337393 ↗
21. Watanabe · J. Appl. Phys. · 1985 · 57 · 534010.1063/1.334852 ↗
22. Hoshino · Appl. Phys. Letters · 1986 · 48 · 77010.1063/1.96716 ↗
23. Kodama · J. Vacuum Sci. Technol. · 1983 · B1 · 69610.1116/1.582580 ↗
24. Kodama · Japan. J. Appl. Phys. · 1986 · 25 · L55110.1143/JJAP.25.L551 ↗
25. Weisberg · J. Appl Phys. · 1963 · 34 · 100210.1063/1.1729347 ↗
26. Pierron · J. Appl. Phys. · 1967 · 38 · 466910.1063/1.1709201 ↗
27. Giesecke · Acta Cryst. · 1958 · 11 · 36910.1107/S0365110X58000979 ↗
28. Bisaro · Appl. Phys. Letters · 1979 · 34 · 10010.1063/1.90575 ↗
29. Penndorf · Kristall Tech. · 1980 · 15 · 16910.1002/crat.19800150207 ↗
30. Kitahara · Japan. J. Appl. Phys. · 1987 · 26 · L111910.1143/JJAP.26.L1119 ↗
31. Lang · Phys. Rev. Letters · 1977 · 30 · 63510.1103/PhysRevLett.39.635 ↗
32. Craven · J. Appl. Phys. · 1979 · 24 · 633410.1063/1.325775 ↗
33. Razeghi · Appl. Phys. Letters · 1986 · 48 · 126710.1063/1.96999 ↗
34. Shaw · J. Crystal Growth · 1975 · 31 · 13010.1016/0022-0248(75)90122-0 ↗
35. Usui · 1986
36. 1987 · 83 · 129