journal article·1992-01Open access

Pressure and temperature dependence of silicon doping of GaAs using Si2H6 in metalorganic chemical vapour deposition

P.R. Hageman, M.H.J.M. de Croon, J.N.H. Reek, L.J. Giling

Journal of Crystal Growth· Volume 116· Issue 1-2

Abstract

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Research context

OpenAlex topics: Semiconductor materials and interfaces · Semiconductor Quantum Structures and Devices · Semiconductor materials and devices

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