High quality AlN thin films grown on sapphire substrate via interface defect strain engineering for vacuum UV photodetector application
Bibliographic record
Abstract
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Research context
OpenAlex topics: GaN-based semiconductor devices and materials · Ga2O3 and related materials · ZnO doping and properties
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References (45)
Show source-provided references
1. Wang · Nat. Mater. · 2023 · 22 · 85310.1038/s41563-023-01573-6 ↗
2. Khan · Appl. Phys. Lett. · 1993 · 63 · 121410.1063/1.109775 ↗
3. Jia · iScience · 2020 · 2310.1016/j.isci.2020.100818 ↗
4. Tsao · Adv. Electron. Mater. · 2018 · 410.1002/aelm.201600501 ↗
5. Zhang · Appl. Surf. Sci. · 2022 · 606
6. Cao · J. Cryst. Growth · 2000 · 1 · 19810.1016/S0022-0248(00)00379-1 ↗
7. Wu · Crystal · 2021 · 12 · 3810.3390/cryst12010038 ↗
8. Kneissl · Nat. Photonics. · 2019 · 13 · 23310.1038/s41566-019-0359-9 ↗
9. Ban · Appl. Phys. Express. · 2011 · 410.1143/APEX.4.052101 ↗
10. Li · Adv. Opt. Photonics. · 2018 · 10 · 4310.1364/AOP.10.000043 ↗
11. Liu · Mat. Sci. Eng. R · 2002 · 37 · 6110.1016/S0927-796X(02)00008-6 ↗
12. Wang · Adv. Mater. · 2016 · 28 · 723410.1002/adma.201601721 ↗
13. Dong · Appl. Phys. Lett. · 2013 · 102
14. He · Cryst. Growth Des. · 2018 · 18 · 681610.1021/acs.cgd.8b01045 ↗
15. Miyake · J. Cryst. Growth · 2016 · 456 · 15510.1016/j.jcrysgro.2016.08.028 ↗
16. Nur Koçak · Vacuum. · 2022 · 203
17. Qi · J. Am. Chem. Soc. · 2018 · 140 · 1193510.1021/jacs.8b03871 ↗
18. Yolcu · J. Mater. Sci. · 2023 · 34 · 250
19. Nakamura · Jpn. J. Appl. Phys. · 1991 · 30 · L170510.1143/JJAP.30.L1705 ↗
20. Sun · CrystEngComm · 2013 · 15 · 606610.1039/c3ce40755a ↗
21. Li · Appl. Phys. Lett. · 2006 · 89
22. Taniyasu · Nature · 2006 · 441 · 32510.1038/nature04760 ↗
23. Wu · Appl. Phys. Lett. · 2004 · 84 · 91210.1063/1.1646222 ↗
24. Gruber · J. Phys. Chem. Solids. · 1967 · 28 · 87510.1016/0022-3697(67)90017-0 ↗
25. Gao · Mater. Today Phys. · 2024 · 45
26. Wu · J. Alloy. Compd. · 2024 · 1005
27. Uesugi · Jpn. J. Appl. Phys. · 2021 · 60
28. Wang · Sci. Rep. · 2017 · 7
29. Yan · Nat. Commun. · 2023 · 14 · 278810.1038/s41467-023-38548-9 ↗
30. Chen · Appl. Phys. Lett. · 2018 · 112
31. Sun · Appl. Phys. Lett. · 2017 · 111
32. Sun · Nanoscale Res. Lett. · 2017 · 12 · 10210.1186/s11671-016-1822-x ↗
33. Han · Small · 2023
34. Cui · ACS. Appl. Mater. Interfaces. · 2025 · 17 · 1246710.1021/acsami.4c22220 ↗
35. Han · Small. Method. · 2023
36. Yang · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 94
37. Shojiki · J. Cryst. Growth. · 2021 · 57410.1016/j.jcrysgro.2021.126309 ↗
38. Uchida · J. Appl. Phys. · 1996 · 79 · 348710.1063/1.361398 ↗
39. Keller · Appl. Phys. Lett. · 1996 · 68 · 152510.1063/1.115687 ↗
40. Bhuiyan · APL. Mater. · 2021 · 910.1063/5.0065087 ↗
41. Nong · Appl. Phys. Lett. · 2024 · 12510.1063/5.0233425 ↗
42. Sun · J. Cryst. Growth. · 2020 · 53110.1016/j.jcrysgro.2019.125381 ↗
43. Chen · Cryst. Growth Des. · 2024 · 24 · 178410.1021/acs.cgd.3c01450 ↗
44. Zhu · Photonix. · 2024 · 5
45. Zhang · IEEE T. Electron. Dev. · 2024 · 3 · 142810.1109/TED.2023.3303126 ↗