Reactive molecular beam epitaxy
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Abstract
Revue des methodes d'evaporation sous vide des composes et discussion des mecanismes d'epitaxie par jets moleculaires reactive sur la base de processus d'evaporation reactive. Revue du depot de nitrures et carbures par cette technique
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OpenAlex topics: Diamond and Carbon-based Materials Research · Electrohydrodynamics and Fluid Dynamics · Advanced Materials Characterization Techniques
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References (100+)
Show source-provided references
1. Berry R. W. · 1968
2. Chopra K. L. · 1969
3. Maissel L. I. · 1970
4. Farrow R. F. C. · J. Vac. Sci. Technol. · 1981 · 19 · 41510.1116/1.571030 ↗
5. Ritter E. · J. Vac. Sci. Technol. · 1966 · 3 · 22510.1116/1.1492481 ↗
6. Günther K. G. · Z. Naturforschg. · 1958 · 13 · 1018
7. Günther K. G. · 1966 · 213
8. Cho A. Y. · J. Vac. Sci. Technol. · 1971 · 8 · S3110.1116/1.1316387 ↗
9. Itoh A. · Jpn. J. Appl. Phys. · 1974 · 46710.7567/JJAPS.2S1.467 ↗
10. Yoshida S. · Appl. Phys. Lett. · 1975 · 26 · 46110.1063/1.88210 ↗
11. Yoshida S. · J. Vac. Sci. Technol. · 1979 · 16 · 99010.1116/1.570166 ↗
12. Panish M. B. · J. Electrochem. Soc. · 1980 · 127 · 272910.1149/1.2129580 ↗
13. Calawa A. R. · Appl. Phys. Lett. · 1981 · 38 · 70110.1063/1.92484 ↗
14. Fraas L. M. · Appl. Phys. Lett. · 1976 · 28 · 41510.1063/1.88802 ↗
15. Veuhoff E. · J. Cryst. Growth. · 1981 · 55 · 3010.1016/0022-0248(81)90267-0 ↗
16. Vodjdani, N., Lemarchand, A. and Paradan, H. 1982. Palametric studies of GaAs growth by metalorganic molecular beam epitaxy. presented at Int. Meet. Relationship between Epitaxial Growth Conditions and the Properties of Semiconductor Epitaxial Layers. September1982, Perpingnan.
17. Dresner J. · J. Appl. Phys. · 1963 · 34 · 239010.1063/1.1702753 ↗
18. Shallcross F. V. · RCA Rev. · 1963 · 24 · 676
19. Schoolar R. B. · J. Appl. Phys. · 1964 · 35 · 184810.1063/1.1713752 ↗
20. Platakis N. S. · J. Electrochem. Soc. · 1976 · 123 · 140910.1149/1.2133086 ↗
21. Ding Hua Hu · J. Vac. Sci. Technol. · 1972 · 9 · 144310.1116/1.1317057 ↗
22. Bunshah R. F. · J. Vac. Sci. Technol. · 1972 · 9 · 138510.1116/1.1317045 ↗
23. Barrell H. · Proc. Phys. Soc. · 1951 · 864 · 9710.1088/0370-1301/64/2/301 ↗
24. Ferrieu E. · J. Electrochem. Soc. · 1969 · 116 · 100810.1149/1.2412128 ↗
25. Hoffman D. · J. Vac. Sci. Technol. · 1971 · 8 · 10710.1116/1.1316256 ↗
26. Hass G. · J. Am. Ceram. Soc. · 1950 · 33 · 35310.1111/j.1151-2916.1950.tb14151.x ↗
27. Has G. · Vacuum. · 1952 · 2 · 33110.1016/0042-207X(52)93783-4 ↗
28. Has G. · J. Opt. Soc. Am. · 1954 · 44 · 18110.1364/JOSA.44.000181 ↗
29. Hass G. · J. Opr. Soc. Am. · 1955 · 45 · 94510.1364/JOSA.45.000945 ↗
30. Anatasio T. A. · J. Appl. Phys. · 1967 · 38 · 260610.1063/1.1709954 ↗
31. Holland L. · 1956
32. Novice M. A. · J. Vac. Sci. Technol. · 1964 · 1 · 73
33. Itoh, A. Some experiments on evaporation synthesis: formation of TIN and ZrN. Proc. 4th Int. Vacuum Congr. pp.536London: Institute of Physics and Physical Society.
34. Satuka A. · J. Vac. Soc. Jpn. · 1971 · 14 · 32510.3131/jvsj.14.325 ↗
35. Dayton, B. B. Gas flow patterns at entrance and exist of cylindrical tubes. 1956 Natl. Symp. Vac. Technol. Trans. pp.5
36. Wauk M. T. · Appl. Phys. Lett. · 1968 · 13 · 28610.1063/1.1652613 ↗
37. Kosicki B. B. · J. Vac. Sci. Technol. · 1969 · 6 · 59310.1116/1.1315693 ↗
38. Thurmond C. D. · J. Phys. Chem. Solids · 1965 · 26 · 78510.1016/0022-3697(65)90254-4 ↗
39. Arthur J. R. · J. Phys. Chem. Solids · 1967 · 28 · 225710.1016/0022-3697(67)90251-X ↗
40. Arthur J. R. · J. Appl. Phys. · 1968 · 39 · 403210.1063/1.1656901 ↗
41. Davey J. E. · J. Appl. Phys. · 1968 · 39 · 194110.1063/1.1656467 ↗
42. Arthur J. R. · J. Vac. Sci. Technol. · 1969 · 6 · 54510.1116/1.1315677 ↗
43. Chang L. L. · J. Vac. Sci. Technol. · 1973 · 10 · 65510.1116/1.1318408 ↗
44. Wood C. E. C. · 1980 · 11 · 35
45. Cho, A. Y. and Arthur, J. R. 1975.Progress in Solid Srure Chemistry, Edited by: Somorjani, G. A. and McCaldin, J. O. Vol. 10, 157Oxford: Pergamon Press.10.1016/0079-6786(75)90005-9 ↗
46. Lean A. J. · Appl. Phys. Lett. · 1970 · 17 · 2610.1063/1.1653238 ↗
47. Yoshida S. · J. Appl. Phys. · 1982 · 53 · 684410.1063/1.329998 ↗
48. Misawa, S. 1982. personal communication
49. Dushman S. · 196210.1119/1.1942137 ↗
50. Rutner E. · 1964
51. Anderson J. R. · 1971
52. Neugebauer C. A. · J. Appl. Phys. · 1964 · 35 · 54710.1063/1.1713413 ↗
53. Noreika A. J. · J. Vac. Sci. Technol. · 1969 · 6 · 19410.1116/1.1492658 ↗
54. Duchene J. · Thin Solid Films · 1971 · 8 · 6910.1016/0040-6090(71)90098-8 ↗
55. Itoh A. · J. Vac. Soc. Jpn. · 1972 · 15 · 21410.3131/jvsj.15.214 ↗
56. Hovel H. J. · Appl. Phys. Lett. · 1972 · 20 · 7110.1063/1.1654051 ↗
57. Puychevrier N. · Thin Solid Films. · 1976 · 36 · 14110.1016/0040-6090(76)90423-5 ↗
58. Yim W. M. · J. Appl. Phys. · 1973 · 44 · 29210.1063/1.1661876 ↗
59. Osamura K. · Solid Stare Commun. · 1972 · 11 · 61710.1016/0038-1098(72)90474-7 ↗
60. Duffy M. T. · J. Electron. Mater. · 1973 · 2 · 35910.1007/BF02666163 ↗
61. Maruska H. P. · Appl. Phys. Len. · 1969 · 15 · 32710.1063/1.1652845 ↗
62. Dean P. J. · 1977 · 17 · 118
63. Pastrnak J. · Phys. Status Solidi · 1963 · 3 · K7110.1002/pssb.19630030224 ↗
64. Pastrnak J. · Phys. Status Solidi · 1965 · 9 · K7310.1002/pssb.19650090235 ↗
65. Chu T. L. · Solid-State Electron. · 1967 · 10 · 102310.1016/0038-1101(67)90152-9 ↗
66. Manasevit H. M. · J. Electrochem. Soc. · 1971 · 118 · 186410.1149/1.2407853 ↗
67. Callaghan M. P. · J. Cryst. Growth · 1974 · 22 · 8510.1016/0022-0248(74)90125-0 ↗
68. Shuskus A. J. · Appl. Phys. Len. · 1974 · 24 · 15510.1063/1.1655132 ↗
69. Rutz R. F. · Appl. Phys. Lett. · 1976 · 28 · 37910.1063/1.88788 ↗
70. Slavnikov V. S. · Sov. Phys.-Crystallogr. · 1971 · 16 · 659
71. Winsztal S. · Thin Solid Films · 1970 · 32 · 25110.1016/0040-6090(76)90307-2 ↗
72. Yoshida, S., Misawa, S., Fujii, Y., Takada, S., Hayakawa, H., Conda, S. and Itoh, A. Reactive molecular beam epitaxy of aluminum nitride. presented at 1st Int. Symp. Molecular Beam Epitaxy. Paris.
73. Yoshida S. · Oyo-Bursuri. · 1975 · 44 · 1210
74. Yamashita H. · J. Appl. Phys. · 1979 · 50 · 89610.1063/1.326007 ↗
75. Yoshida, S., Misawa, S. and Itoh, A. Lattice vibration spectra of epitaxially grown films of AIN on silicon by reactive evaporation. Proc. 7th Int. Vac. Congr. and 3rd Int. Conf. Solid Surfaces. Vienna. pp.1797
76. Takada, S., Hayakawa, H., Yoshida, S. and Misawa, S. SAW characteristics of AIN films on c-sapphire prepared by reactive evaporation. Proc. 2nd Meet. Ferroelectric Materials and Their Applications. Nagoya. pp.45
77. Yoshida S. · Thin Solid Films. · 1979 · 58 · 5510.1016/0040-6090(79)90208-6 ↗
78. Pastrnak, J., Pacesaova, S., Shanda, J. and Rosa, J. Oxygen centers in AIN. Roc. Int. Conf. Luminescence. Leningrad. pp.508
79. Karel F. · Czech. J. Phys. · 1970 · 20 · 4610.1007/BF01698106 ↗
80. Fujii Y. · Appl. Phys. Lett. · 1977 · 31 · 81510.1063/1.89550 ↗
81. Alexandre F. · Thin Solid Films · 1982 · 98 · 7510.1016/0040-6090(82)90629-0 ↗
82. Lorenz M. R. · J. Electrochem. Soc. · 1962 · 109 · 2410.1149/1.2425318 ↗
83. Ilegems M. · J. Appl. Phys. · 1972 · 43 · 379710.1063/1.1661813 ↗
84. Liu S. S. · J. Electrochem. Soc. · 1978 · 125 · 116110.1149/1.2131641 ↗
85. Monemar B. · J. Appl. Phys. · 1979 · 50 · 648010.1063/1.325743 ↗
86. Gotoh H. · Jpn. J. Appl. Phys. · 1981 · 20 · L54510.1143/JJAP.20.L545 ↗
87. Pankove J. I. · RCA Rev. · 1971 · 32 · 383
88. Maruska H. P. · Appl. Phys. Lett. · 1973 · 22 · 30310.1063/1.1654648 ↗
89. Jacob G. · Appl. Phys. Lett. · 1977 · 30 · 41210.1063/1.89424 ↗
90. Pankove J. I. · J. Appl. Phys. · 1975 · 46 · 164710.1063/1.321767 ↗
91. Yoshida S. · Appl. Phys. Lett.
92. Yoshida S. · J. Vac. Sci. Technol.
93. Hirayama M. · J. Electrochem. Soc. · 1975 · 122 · 167110.1149/1.2134107 ↗
94. Adam A. C. · J. Electrochem. Soc. · 1980 · 127 · 39910.1149/1.2129678 ↗
95. Takahashi T. · J. Cryst. Growth · 1979 · 47 · 24510.1016/0022-0248(79)90248-3 ↗
96. Takahashi T. · J. Cryst. Growth. · 1981 · 53 · 41810.1016/0022-0248(81)90092-0 ↗
97. Sano M. · Thin Solid Films · 1981 · 83 · 24710.1016/0040-6090(81)90674-X ↗
98. Tyagai V. A. · Sov. Phys.-Semicond. · 1977 · 11 · 1257
99. Nuese C. J. · J. Electron. Mater. · 1977 · 6 · 25310.1007/BF02660488 ↗
100. Pikhtin A. N. · Sov. Phys.-Semicod. · 1977 · 11 · 245