Progress in Modification of Indium-Tin Oxide/Organic Interfaces for Organic Light-Emitting Diodes
Source abstract
Abstract
The oxide/organic interfaces play crucial roles in the hole injection from the anode electrodes to the emitting organics in organic light-emitting diodes (OLEDs), and hence have strong impacts on the efficiencies and other properties of the devices. Indium-tin oxide (ITO) is currently the most popular anode material used in OLEDs due to several merits, such as good etch ability, good adherence, high transparency, low resistivity, and high work function. Interfacial engineering between the ITO electrode and the overlying organic layers is an important process to obtain the high performance of the diode devices. In this article, recent progress in modification of the ITO/organic interfaces is reviewed, as these interfaces are important to the development of the technologies aiming at improving the electroluminescence, and efficiencies as well as reducing the operation voltages of OLEDs. ITO/Organic interfacial properties can be controlled or modified by simply changing the surface properties of ITO using chemical or physical treatments, and by adding a buffer layer (e.g., metal, oxide, or organic thin films) between the ITO and hole transport or emitting organic layers. The literature data showed that the electroluminescence, efficiencies, and lifetimes of the OLEDs could be greatly increased and the operation voltage considerably decreased when the ITO/organic interfaces have been properly improved.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Organic Light-Emitting Diodes Research · Organic Electronics and Photovoltaics · Thin-Film Transistor Technologies
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References (100+)
Show source-provided references
1. Tang C. W. · Appl. Phys. Lett. · 1987 · 51 · 91310.1063/1.98799 ↗
2. Tang C. W. · J. Appl. Phys. · 1989 · 65 · 361010.1063/1.343409 ↗
3. Burroughes J. H. · Nature · 1990 · 347 · 53910.1038/347539a0 ↗
4. Xie Z. Y. · Appl. Phys. Lett. · 2001 · 79 · 104810.1063/1.1390479 ↗
5. Liu M. W. · Phys. Status Solidi A · 2001 · 185 · 20310.1002/1521-396X(200106)185:2<203::AID-PSSA203>3.0.CO;2-C ↗
6. Chen B. J. · Syn. Met. · 2001 · 118 · 19310.1016/S0379-6779(00)00278-2 ↗
7. Mi B. X. · J. Mater. Chem. · 2001 · 11 · 224410.1039/b009707l ↗
8. Liao L. S. · J. Appl. Phys. · 2000 · 88 · 238610.1063/1.1286009 ↗
9. Gao Z. Q. · Syn. Met. · 2000 · 111 · 3910.1016/S0379-6779(99)00434-8 ↗
10. Zhou X. · Appl. Phys. Lett. · 1999 · 74 · 60910.1063/1.123161 ↗
11. Balasubramaniam E. · Chem. Mater. · 2000 · 12 · 278810.1021/cm0003368 ↗
12. Tong Q. X. · Chem. Phys. Lett. · 2008 · 455 · 7910.1016/j.cplett.2008.02.054 ↗
13. Chew S. · Syn. Met. · 2006 · 156 · 18510.1016/j.synthmet.2005.11.009 ↗
14. Hung L. S. · Mat. Sci. Eng. R · 2002 · 39 · 14310.1016/S0927-796X(02)00093-1 ↗
15. Veinot J. G. C. · Acc. Chem. Res. · 2005 · 38 · 63210.1021/ar030210r ↗
16. Tao Y. T. · Chem. Mater. · 2001 · 13 · 120710.1021/cm000622j ↗
17. Ko C. W. · Chem. Mater. · 2001 · 13 · 244110.1021/cm010199u ↗
18. Thomas K. R.J. · J. Amer. Chem. Soc. · 2001 · 123 · 940410.1021/ja010819s ↗
19. Luo F. T. · J. Mater. Chem. · 2002 · 12 · 4710.1039/b109392d ↗
20. Kundu P. · Adv. Funct. Mater. · 2003 · 13 · 44510.1002/adfm.200304308 ↗
21. Thomas K. R. J. · Adv. Funct. Mater. · 2004 · 14 · 8310.1002/adfm.200304486 ↗
22. Thomas K. R. J. · Inorg. Chem. · 2005 · 44 · 567710.1021/ic050385s ↗
23. Zhao Z. J. · Synth. Met. · 2006 · 156 · 20910.1016/j.synthmet.2005.11.011 ↗
24. Chew S. · Appl. Phys. Lett. · 2006 · 88 · 09351010.1063/1.2178468 ↗
25. Li N. · Appl. Phys. Lett. · 2009 · 95 · 13330110.1063/1.3242000 ↗
26. Garon S. · J. Soc. Inform. Displ. · 2005 · 13 · 40510.1889/1.1927732 ↗
27. Tong Q. X. · J. Phys. Chem. C · 2009 · 113 · 622710.1021/jp810305b ↗
28. Baldo M. A. · Phys. Rev. B · 1999 · 60 · 1442210.1103/PhysRevB.60.14422 ↗
29. Rothe C. · Phys. Rev. Lett. · 2006 · 97 · 07660210.1103/PhysRevLett.97.076602 ↗
30. Reufer M. · Nat. Mater. · 2005 · 4 · 34010.1038/nmat1354 ↗
31. Wohlgenannt M. · Nature · 2001 · 409 · 49410.1038/35054025 ↗
32. Hung L. S. · Mater. Sci. Eng. B · 2001 · 85 · 10410.1016/S0921-5107(01)00539-6 ↗
33. Deng Z. B. · Displays · 2000 · 21 · 7910.1016/S0141-9382(00)00044-5 ↗
34. Lee S. T. · Appl. Phys. Lett. · 1999 · 74 · 67010.1063/1.122982 ↗
35. Baldo M. A. · Phys. Rev. B · 2001 · 64 · 8520110.1103/PhysRevB.64.085201 ↗
36. Malinsky J. E. · Chem. Mater. · 2002 · 14 · 305410.1021/cm020293q ↗
37. Cui J. · Langmuir · 2002 · 18 · 995810.1021/la020481v ↗
38. He J. · Thin Solid Films · 2000 · 363 · 24010.1016/S0040-6090(99)01066-4 ↗
39. Mason M. G. · J. Appl. Phys. · 1999 · 86 · 168810.1063/1.370948 ↗
40. Wong F. L. · Thin Solid Films · 2004 · 466 · 22510.1016/j.tsf.2004.01.114 ↗
41. Tang J. X. · Appl. Phys. Lett. · 2006 · 88 · 23210310.1063/1.2209212 ↗
42. Peng Y.-Q. · Appl. Surf. Sci. · 2006 · 252 · 627510.1016/j.apsusc.2005.08.028 ↗
43. Koch N. · ChemPhysChem · 2007 · 8 · 143810.1002/cphc.200700177 ↗
44. Ma H. · Adv. Funct. Mater. · 2010 · 20 · 137110.1002/adfm.200902236 ↗
45. Gao Y. · Mater. Sci. Eng. R · 2010 · 68 · 3910.1016/j.mser.2010.01.001 ↗
46. Wu Q.-H. · Cri. Rev. Solid State. Mater. · 2011 · 36 · 110.1080/10408436.2011.526886 ↗
47. Wu Q.-H. · Int. Rev. Phys. Chem. · 2009 · 28 · 51710.1080/01442350903172453 ↗
48. Wu Q.-H. · Curr. Nanosci. · 2009 · 5 · 5810.2174/157341309787314584 ↗
49. Laubach S. · Phys. Chem. Chem. Phys. · 2007 · 9 · 256410.1039/B612489E ↗
50. Wu Q.-H. · Appl. Surf. Sci. · 2005 · 252 · 180110.1016/j.apsusc.2005.03.134 ↗
51. Wu Q.-H. · Appl. Surf. Sci. · 2005 · 250 · 5710.1016/j.apsusc.2004.12.023 ↗
52. Wu Q.-H. · Chem. Phys. Lett. · 2006 · 430 · 30910.1016/j.cplett.2006.08.071 ↗
53. Ishii H. · IEEE Trans. Electron. Dev. · 1997 · 44 · 129510.1109/16.605471 ↗
54. Hill I. G. · Appl. Phys. Lett. · 1998 · 73 · 66210.1063/1.121940 ↗
55. Kahn A. · J. Polym. Sci. B · 2003 · 41 · 252910.1002/polb.10642 ↗
56. Vuillaume D. · Microelectron. Eng. · 2003 · 70 · 53910.1016/S0167-9317(03)00458-1 ↗
57. Ahles M. · Appl. Phys. Lett. · 2004 · 85 · 449910.1063/1.1818737 ↗
58. Ganzorig C. · Appl. Phys. Lett. · 2001 · 79 · 27210.1063/1.1384896 ↗
59. Gross M. · Nature · 2000 · 405 · 66110.1038/35015037 ↗
60. Yu W. · J. Appl. Phys. · 2001 · 89 · 234310.1063/1.1315626 ↗
61. Kim J. S. · Adv. Mater. · 2002 · 14 · 20610.1002/1521-4095(20020205)14:3<206::AID-ADMA206>3.0.CO;2-J ↗
62. Wong K. W. · Appl. Phys. Lett. · 2002 · 80 · 278810.1063/1.1469220 ↗
63. Ishii H. · Adv. Mater. · 1999 · 11 · 60510.1002/(SICI)1521-4095(199906)11:8<605::AID-ADMA605>3.0.CO;2-Q ↗
64. Tutis E. · Appl. Phys. Lett. · 1999 · 75 · 388010.1063/1.125487 ↗
65. Burin A. L. · J. Phys. Chem. A · 2000 · 104 · 470410.1021/jp994162x ↗
66. Li F. · Appl. Phys. Lett. · 1997 · 70 · 123310.1063/1.118539 ↗
67. Zuppiroli L. · Eur. Phys. J. B · 1999 · 11 · 50510.1007/s100510050962 ↗
68. Lee S. T. · Appl. Phys. Lett. · 1998 · 72 · 159310.1063/1.121125 ↗
69. Forsythe E. W. · J. Phys. Chem. B · 2000 · 104 · 394810.1021/jp993793o ↗
70. Ho P. K.H. · Adv. Mater. · 1998 · 10 · 76910.1002/(SICI)1521-4095(199807)10:10<769::AID-ADMA769>3.0.CO;2-3 ↗
71. Cui J. · Adv. Mater. · 2002 · 14 · 56510.1002/1521-4095(20020418)14:8<565::AID-ADMA565>3.0.CO;2-3 ↗
72. Xu M. S. · J. Phys. D Appl. Phys. · 2004 · 37 · 160310.1088/0022-3727/37/12/002 ↗
73. 10.1038/nmat315910.1038/nmat3159 ↗
74. Zhang Z. L. · Thin Solid Films · 2000 · 363 · 6110.1016/S0040-6090(99)01004-4 ↗
75. Pyo S. W. · Thin Solid Films · 2000 · 363 · 23210.1016/S0040-6090(99)01064-0 ↗
76. Wang Z. B. · Phys. Rev. B · 2009 · 80 · 235
77. Fan J. C. C. · J. Appl. Phys. · 1977 · 48 · 352410.1063/1.324149 ↗
78. Prewitt C. T. · Inorg. Chem. · 1969 · 8 · 198510.1021/ic50079a033 ↗
79. Marezio M. · Acta Cryst. · 1966 · 20 · 72310.1107/S0365110X66001749 ↗
80. Nadaud N. · J. Solid State Chem. · 1998 · 135 · 14010.1006/jssc.1997.7613 ↗
81. Salehi A. · Thin Solid Films · 1998 · 324 · 21410.1016/S0040-6090(98)00371-X ↗
82. Zhang K. R. · Surf. Interface Anal. · 1999 · 28 · 27110.1002/(SICI)1096-9918(199908)28:1<271::AID-SIA592>3.0.CO;2-1 ↗
83. Sheu J. K. · Solid State Electron. · 1999 · 43 · 208110.1016/S0038-1101(99)00177-X ↗
84. Major S. · Sol. Energy Mater. · 1988 · 17 · 31910.1016/0165-1633(88)90014-7 ↗
85. Hu J. H. · J. Appl. Phys. · 1992 · 72 · 538110.1063/1.351977 ↗
86. Nishio K. · J. Mater., Sci. · 1996 · 31 · 176110.1007/BF00372189 ↗
87. Kim H. · Appl. Phys. Lett. · 1999 · 74 · 344410.1063/1.124122 ↗
88. Kavei G. · J. Mater. Proc. Technol. · 2007 · 208 · 51410.1016/j.jmatprotec.2008.01.024 ↗
89. Hamberg I. · Phys. Rev. B · 1984 · 30 · 324010.1103/PhysRevB.30.3240 ↗
90. Meng L. J. · Vacuum · 1995 · 46 · 67310.1016/0042-207X(94)00150-2 ↗
91. Gassenbauer Y. · J. Phys. Chem. B · 2006 · 110 · 479310.1021/jp056640b ↗
92. Milliron D. J. · J. Appl. Phys. · 2000 · 87 · 57210.1063/1.371901 ↗
93. Yu H. Y. · Appl. Phys. Lett. · 2001 · 78 · 259510.1063/1.1367897 ↗
94. Tadayyon S. M. · Org. Electron. · 2004 · 5 · 19910.1016/j.orgel.2003.12.002 ↗
95. Wu C. C. · Appl. Phys. Lett. · 1997 · 70 · 134810.1063/1.118575 ↗
96. Fahlman M. · Surf. Sci. · 2002 · 500 · 90410.1016/S0039-6028(01)01554-0 ↗
97. Tong Q.-X. · Dyes Pigm. · 2010 · 86 · 23310.1016/j.dyepig.2010.01.009 ↗
98. Milliron D. J. · J. Appl. Phys. · 2000 · 87 · 57210.1063/1.371901 ↗
99. Nüesch F. · Langmuir · 2003 · 19 · 487110.1021/la026962w ↗
100. Zhong Z. Y. · J. Colloid Interf. Sci. · 2006 · 302 · 61310.1016/j.jcis.2006.07.009 ↗