Thermally oxidized nickel oxide films for the development of high performance nonvolatile bipolar resistive random-access memories
Source abstract
Abstract
This study demonstrates that a Ag/NiO x /Si RRAM employing a thermally oxidized NiO x switching layer exhibits excellent performance and outstanding device-to-device uniformity.
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Affiliations
Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan
Funding
National Science and Technology Council
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