Engineering the dielectric properties of t -HfO 2 thin films using first-principles calculations
Source abstract
Abstract
First-principles calculations reveal that the dielectric properties of t -HfO 2 thin films can be modulated by thickness, strain, and interfacial effects, offering pathways toward low-leakage, high-capacitance DRAM devices.
Only a short abstract or summary was supplied by the source.
Source: crossref · Quality: short
Affiliations
Department of Physics, Materials Genome Institute, Shanghai Engineering Research Center for Integrated Circuits and Advanced Display Materials, Institute for Quantum Science and Technology, Shanghai University, Shanghai, 200444, China
Zhangjiang Laboratory, Shanghai, 201210, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Science and Technology Commission of Shanghai Municipality
References (49)
Show source-provided references
1. Park · Adv. Mater. · 2015 · 27 · 181110.1002/adma.201404531 ↗
2. Kim · Ceram. Int. · 2022 · 48 · 323610.1016/j.ceramint.2021.10.097 ↗
3. Liao · Fundam. Res. · 2023 · 3 · 33210.1016/j.fmre.2023.02.010 ↗
4. Zeng · Acta Crystallogr., Sect. C: Struct, Chem. · 2014 · 70 · 7610.1107/S2053229613027861 ↗
5. Kim · Small · 2017 · 13 · 170178110.1002/smll.201701781 ↗
6. Grimley · Adv. Mater. Interfaces · 2018 · 5 · 170125810.1002/admi.201701258 ↗
7. Schroeder · Nat. Rev. Mater. · 2022 · 7 · 65310.1038/s41578-022-00431-2 ↗
8. Huan · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2014 · 90 · 06411110.1103/PhysRevB.90.064111 ↗
9. Ouyang · Appl. Phys. Lett. · 2023 · 123 · 21290210.1063/5.0169911 ↗
10. Gao · Chin. Phys. Lett. · 2024 · 41 · 08770110.1088/0256-307X/41/8/087701 ↗
11. Zhao · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2002 · 65 · 23310610.1103/PhysRevB.65.233106 ↗
12. MacLaren · J. Electrochem. Soc. · 2009 · 156 · G10310.1149/1.3141705 ↗
13. Böscke · Appl. Phys. Lett. · 2011 · 99 · 10290310.1063/1.3634052 ↗
14. Müller · Nano Lett. · 2012 · 12 · 431810.1021/nl302049k ↗
15. Fan · J. Phys. Chem. C · 2019 · 123 · 2174310.1021/acs.jpcc.9b04106 ↗
16. Mao · J. Mater. Chem. C · 2024 · 12 · 1546310.1039/D4TC02418D ↗
17. Yim · NPG Asia Mater. · 2015 · 7 · e19010.1038/am.2015.57 ↗
18. Banerjee · Small · 2022 · 18 · 210757510.1002/smll.202107575 ↗
19. Kumar · Phys. B: Condens. Matter · 2012 · 407 · 462710.1016/j.physb.2012.08.034 ↗
20. Tian · Nano Lett. · 2020 · 20 · 84110.1021/acs.nanolett.9b02982 ↗
21. Sheng · J. Appl. Polym. Sci. · 2013 · 128 · 240210.1002/app.38361 ↗
22. Wakui · J. Vac. Sci. Technol., B · 2009 · 27 · 202010.1116/1.3155823 ↗
23. Wang · Phys. Chem. Chem. Phys. · 2020 · 22 · 448110.1039/C9CP05280A ↗
24. Weng · Phys. Chem. Chem. Phys. · 2018 · 20 · 2645310.1039/C8CP04743J ↗
25. Kresse · Comput. Mater. Sci. · 1996 · 6 · 1510.1016/0927-0256(96)00008-0 ↗
26. Kresse · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1996 · 54 · 1116910.1103/PhysRevB.54.11169 ↗
27. Blöchl · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1994 · 50 · 1795310.1103/PhysRevB.50.17953 ↗
28. Perdew · Phys. Rev. Lett. · 1996 · 77 · 386510.1103/PhysRevLett.77.3865 ↗
29. Perdew · Phys. Rev. Lett. · 2008 · 100 · 13640610.1103/PhysRevLett.100.136406 ↗
30. Schenk · Adv. Electron. Mater. · 2019 · 5 · 190030310.1002/aelm.201900303 ↗
31. Shao · Phys. Rev. B · 2023 · 108 · 02430610.1103/PhysRevB.108.024306 ↗
32. Laturia · npj 2D Mater. Appl. · 2018 · 2 · 110.1038/s41699-018-0050-x ↗
33. Cudazzo · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2011 · 84 · 08540610.1103/PhysRevB.84.085406 ↗
34. Sklénard · Appl. Phys. Lett. · 2018 · 113 · 17290310.1063/1.5044631 ↗
35. Leng · WIREs Comput. Mol. Sci. · 2016 · 6 · 53210.1002/wcms.1265 ↗
36. Wang · J. Mater. Sci. · 1992 · 27 · 539710.1007/BF00541601 ↗
37. Rignanese · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2004 · 69 · 18430110.1103/PhysRevB.69.184301 ↗
38. Osanloo · Nat. Commun. · 2021 · 12 · 505110.1038/s41467-021-25310-2 ↗
39. Osanloo · Nanoscale · 2021 · 14 · 15710.1039/D1NR05250K ↗
40. Das · IEEE Trans. Electron Devices · 2022 · 69 · 10310.1109/TED.2021.3131403 ↗
41. Cheema · Nature · 2022 · 604 · 6510.1038/s41586-022-04425-6 ↗
42. Robertson · J. Appl. Phys. · 2008 · 104 · 12411110.1063/1.3041628 ↗
43. Posternak · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1994 · 50 · 891110.1103/PhysRevB.50.8911 ↗
44. Gonze · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1997 · 55 · 1035510.1103/PhysRevB.55.10355 ↗
45. Liu · Chin. Phys. B · 2014 · 23 · 04710110.1088/1674-1056/23/4/047101 ↗
46. Zhao · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 2002 · 65 · 07510510.1103/PhysRevB.65.075105 ↗
47. Mei · Sci. Rep. · 2020 · 10 · 787310.1038/s41598-020-64866-9 ↗
48. Weeks · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2017 · 9 · 1344010.1021/acsami.7b00776 ↗
49. Park · Appl. Phys. Rev. · 2019 · 6 · 04140310.1063/1.5118737 ↗