High-performance Bi-based 14-1-11 thermoelectrics via defect-mediated carrier tuning in Ca 14 AlBi 11− x Sb x
Source abstract
Abstract
Isovalent Sb substitution in valence-balanced Ca 14 AlBi 11− x Sb x modulates native acceptor-type defects, reduces hole concentration, and boosts p-type thermoelectric performance to zT ≈ 1.35 at 973 K for x = 3.
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Affiliations
Graduate School of Sciences and Engineering, Koç University, Istanbul-34450, Türkiye
Koç University Boron and Advanced Materials Application and Research Center, Istanbul-34450, Türkiye
Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University, Evanston, IL-60208, USA
Department of Chemistry, Koç University, Sariyer, Istanbul-34450, Türkiye
Funding
Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu
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