Computer Simulation of Mo/Si Thin Film Characteristics for EUVL Technology
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Abstract
본 연구에서는 EUVL(Extreme Ultra-Violet Lithography) 공정에서 사용되어지는 Mo/Si 다층박막 마스크 물질의 최적화된 제조공정을 도모하기 위해 Monte Carlo법을 적용한 PVD 공정 시뮬레이터를 사용하여 Mo/Si 다층박막 증착변수에 따른 박막의 형상변화를 분석하였다. 박막의 형상은 가스압력(1∼30mTorr), 타겟과 기판과의 거리 (1∼30cm) 및 확산거리(1∼10nm)에 따라 크게 변함을 알 수 있었으며 가스압력이 낮을수록, 기판과 타겟과의 거리가 멀어질수록 균일한 표면의 박막 형성이 가능할 것으로 예측되었다.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Advancements in Photolithography Techniques · Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis · 3D IC and TSV technologies
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References
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