Enhanced MOS 1/f noise due to near-interfacial oxygen deficiency
Bibliographic record
Abstract
No abstract is available for this record. The assistant can identify its topic from the title, but cannot infer the study’s results.
Source: Not provided · Quality: missing
Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References (41)
Show source-provided references
1. Weissman · Rev. Mod. Phys. · 1993 · 65 · 82910.1103/RevModPhys.65.829 ↗
2. Ralls · Phys. Rev. · 1991 · B44 · 580010.1103/PhysRevB.44.5800 ↗
3. Weissman · Rev. Mod. Phys. · 1988 · 60 · 53710.1103/RevModPhys.60.537 ↗
4. Kogan · Sov. Phys. Usp. · 1985 · 28 · 17010.1070/PU1985v028n02ABEH003853 ↗
5. Kogan · Usp. Fiz. Nauk · 1985 · 145 · 28510.3367/UFNr.0145.198502d.0285 ↗
6. Ngai · Phys. Rev. · 1980 · B22 · 206610.1103/PhysRevB.22.2066 ↗
7. Nicollian · 1982
8. Ma · 1989
9. Hooge · Rep. Prog. Phys. · 1981 · 44 · 47910.1088/0034-4885/44/5/001 ↗
10. van der Ziel · Adv. Electron. Electron Phys. · 1979 · 49 · 22510.1016/S0065-2539(08)60768-4 ↗
11. Handel · Phys. Rev. · 1980 · A22 · 74510.1103/PhysRevA.22.745 ↗
12. van Vliet · Solid State Electron. · 1991 · 34 · 110.1016/0038-1101(91)90195-5 ↗
13. McWhorter · 1957 · 207
14. Sah · Phys. Rev. Lett. · 1966 · 17 · 95610.1103/PhysRevLett.17.956 ↗
15. Surya · Phys. Rev. · 1986 · B33 · 489810.1103/PhysRevB.33.4898 ↗
16. Simonne · 1989 · Vol. 2 · 639
17. Fleetwood · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1992 · 39 · 26910.1109/23.277495 ↗
18. Fleetwood · Phys. Rev. Lett. · 1990 · 64 · 57910.1103/PhysRevLett.64.579 ↗
19. Fleetwood · 1993 · 339
20. Buttler · IEEE Trans. Nucl. Sci · 1991 · 38 · 6910.1109/23.289265 ↗
21. Scofield · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1991 · 38 · 156710.1109/23.124147 ↗
22. Scofield · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1989 · 36 · 194610.1109/23.45391 ↗
23. Meisenheimer · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1990 · 37 · 169610.1109/23.101179 ↗
24. Meisenheimer · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1991 · 38 · 129710.1109/23.124108 ↗
25. Fleetwood · J. Appl. Phys. · 1993 · 73 · 505810.1063/1.353777 ↗
26. Shaneyfelt · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1993 · 40 · 167810.1109/23.273493 ↗
27. Devine · Appl. Phys. Lett. · 1993 · 63 · 292610.1063/1.110275 ↗
28. Devine · Nucl. Instr. and Meth. · 1994 · B 84 · 25410.1016/0168-583X(94)95765-7 ↗
29. Devine · 1994 · 318
30. Fleetwood · Appl. Phys. Lett. · 1994 · 64 · 196510.1063/1.111757 ↗
31. Fleetwood · Microelectronics Reliability · 1995 · 35 · 40310.1016/0026-2714(95)93068-L ↗
32. Warren · 1994 · 338 · 3
33. Warren · Appl. Phys. Lett. · 1994 · 64 · 345210.1063/1.111943 ↗
34. Scofield · IEEE Trans. Electron Dev. · 1994 · 41 · 194610.1109/16.333810 ↗
35. Fleetwood · IEEE Trans. Electron Dev. · 1994 · 41 · 195310.1109/16.333811 ↗
36. Schwank · Appl. Phys. Lett. · 1988 · 53 · 77010.1063/1.99828 ↗
37. Schwank · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1987 · 34 · 115210.1109/TNS.1987.4337445 ↗
38. Lenahan · J. Appl. Phys. · 1984 · 55 · 349510.1063/1.332937 ↗
39. Vanheusden · J. Appl. Phys. · 1993 · 74 · 27510.1063/1.354103 ↗
40. Tsai · IEEE Trans. Electron Dev. · 1993 · 14 · 25610.1109/55.215185 ↗
41. Tsai · IEEE Trans. Nucl. Sci. · 1992 · 39 · 217810.1109/23.211419 ↗