Geometry‐Induced Dislocations in Coaxial Heterostructural Nanotubes
Source abstract
Abstract
Highly localized dislocations in GaN/ZnO hetero-nanostructures are generated from the residual strain field by lattice mismatches at two interfaces: between the substrate and hetero-nanostructures, and between the ZnO core and GaN shell. The local strain field is measured using tranmission electron microscopy, and the relationship between the nanostructure morphology and the highly localized dislocations is analyzed by a finite element method.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: ZnO doping and properties · Boron and Carbon Nanomaterials Research · GaN-based semiconductor devices and materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References (49)
Show source-provided references
1. 10.1016/S0013-4686(03)00352-910.1016/S0013-4686(03)00352-9 ↗
2. 10.1063/1.312316710.1063/1.3123167 ↗
3. 10.1016/j.pmatsci.2008.07.00210.1016/j.pmatsci.2008.07.002 ↗
4. 10.1038/nnano.2008.36010.1038/nnano.2008.360 ↗
5. 10.1021/ct900669t10.1021/ct900669t ↗
6. 10.1063/1.346243210.1063/1.3462432 ↗
7. 10.1021/jp209638g10.1021/jp209638g ↗
8. 10.1063/1.353400310.1063/1.3534003 ↗
9. 10.1021/nl200722z10.1021/nl200722z ↗
10. 10.1021/nl202933310.1021/nl2029333 ↗
11. 10.1016/j.jallcom.2012.01.04310.1016/j.jallcom.2012.01.043 ↗
12. 10.1103/PhysRevB.85.04530310.1103/PhysRevB.85.045303 ↗
13. 10.1021/nl051860m10.1021/nl051860m ↗
14. 10.4028/www.scientific.net/AMR.67.3310.4028/www.scientific.net/AMR.67.33 ↗
15. 10.1016/j.commatsci.2012.01.02510.1016/j.commatsci.2012.01.025 ↗
16. 10.1002/nme.301110.1002/nme.3011 ↗
17. 10.1063/1.349102410.1063/1.3491024 ↗
18. 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.10.9310.4028/www.scientific.net/JNanoR.10.93 ↗
19. 10.1021/nl903745510.1021/nl9037455 ↗
20. 10.1016/j.cma.2008.12.02510.1016/j.cma.2008.12.025 ↗
21. 10.1088/0268-1242/24/2/02502910.1088/0268-1242/24/2/025029 ↗
22. 10.1063/1.190310610.1063/1.1903106 ↗
23. 10.1021/nl900055x10.1021/nl900055x ↗
24. 10.1016/j.jcrysgro.2011.05.00210.1016/j.jcrysgro.2011.05.002 ↗
25. 10.1063/1.220269710.1063/1.2202697 ↗
26. 10.1109/JSTQE.2010.206428710.1109/JSTQE.2010.2064287 ↗
27. 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.00910.1016/j.jcrysgro.2008.07.009 ↗
28. 10.1002/crat.20080050010.1002/crat.200800500 ↗
29. 10.1063/1.152722510.1063/1.1527225 ↗
30. 10.1063/1.282244210.1063/1.2822442 ↗
31. 10.1063/1.36401810.1063/1.364018 ↗
32. 10.1002/jemt.106013020410.1002/jemt.1060130204 ↗
33. 10.1109/3.90307510.1109/3.903075 ↗
34. 10.1080/0141861970822374010.1080/01418619708223740 ↗
35. 10.1016/S0022-5096(02)00010-810.1016/S0022-5096(02)00010-8 ↗
36. 10.1016/0001-6160(53)90054-610.1016/0001-6160(53)90054-6 ↗
37. 10.1080/1478643700823842610.1080/14786437008238426 ↗
38. 10.1016/0955-2219(92)90010-B10.1016/0955-2219(92)90010-B ↗
39. 10.1088/1367-2630/11/12/12502110.1088/1367-2630/11/12/125021 ↗
40. 10.1093/oxfordjournals.jmicro.a02356810.1093/oxfordjournals.jmicro.a023568 ↗
41. 10.1002/smll.20120067410.1002/smll.201200674 ↗
42. 10.1016/j.physe.2010.03.01810.1016/j.physe.2010.03.018 ↗
43. Gadzhiev G. G. · High Temp. · 2002 · 40 · 778
44. 10.1023/A:100470950033110.1023/A:1004709500331 ↗
45. 10.1134/1.113122710.1134/1.1131227 ↗
46. 10.1016/j.jmatprotec.2007.03.12510.1016/j.jmatprotec.2007.03.125 ↗
47. 10.1063/1.166343210.1063/1.1663432 ↗
48. 10.1002/047006832910.1002/0470068329 ↗
49. Wrledt H. A. · J. Phase Equilib. Diff. · 1990 · 11 · 43