Seeding of Silicon Wire Growth by Out‐Diffused Metal Precipitates
Source abstract
Abstract
Metals diffused into bulk silicon can be manipulated to out-diffuse and precipitate in microsized droplets at surfaces, allowing for subsequent silicon wire growth. This technique allows for both high-throughput and precision in the size and positions of metal droplets on the silicon surface.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Nanowire Synthesis and Applications · Semiconductor materials and devices · Anodic Oxide Films and Nanostructures
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
References (49)
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