Engineered Piezoelectricity in Graphene
Source abstract
Abstract
We discover that piezoelectric effects can be engineered into nonpiezoelectric graphene through the selective surface adsorption of atoms. Our calculations show that doping a single sheet of graphene with atoms on one side results in the generation of piezoelectricity by breaking inversion symmetry. Despite their 2D nature, piezoelectric magnitudes are found to be comparable to those in 3D piezoelectric materials. Our results elucidate a designer piezoelectric phenomenon, unique to the nanoscale, that has potential to bring dynamical control to nanoscale electromechanical devices.
Source: openalex_inverted_index · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Graphene research and applications · Advanced Sensor and Energy Harvesting Materials · Thermal properties of materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States
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