journal article·1996-07

Uncooled 4.2 μm light emitting diodes based on InAs0.91Sb0.09/GaSb grown by LPE

Y. Mao, A. Krier

Optical Materials· Volume 6· Issue 1-2
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Abstract

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Research context

OpenAlex topics: Advanced Semiconductor Detectors and Materials · Semiconductor Quantum Structures and Devices · Spectroscopy and Laser Applications

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References (39)

Show source-provided references
1. Woolly · Can. J. Phys. · 1964 · 42 · 879
2. Mikhailova · Semicond. Sci. Technol. · 1994 · 9 · 127910.1088/0268-1242/9/7/001 ↗
3. Esina · J. Appl. Spectrosc. · 1985 · 42 · 46510.1007/BF00662516 ↗
4. Mao · J. Crystal Growth · 1993 · 133 · 10810.1016/0022-0248(93)90110-I ↗
5. Mani · J. Electron. Mater. · 1987 · 16 · 28910.1007/BF02653368 ↗
6. Zyskind · J. Appl. Phys. · 1987 · 61 · 289810.1063/1.337834 ↗
7. Skelton · Solid-State Electron · 1985 · 28 · 116610.1016/0038-1101(85)90198-4 ↗
8. Bondar · Sov. Phys. Tech. Phys. · 1982 · 27 · 215
9. Bubulac · Appl. Phys. Lett. · 1980 · 36 · 73410.1063/1.91649 ↗
10. Gertner · J. Electron. Mater. · 1979 · 8 · 54510.1007/BF02652405 ↗
11. Andrews · J. Vac. Sci. Technol. · 1976 · 13 · 96110.1116/1.569029 ↗
12. Stringfellow · J. Electromchem. Soc. · 1971 · 118 · 80510.1149/1.2408169 ↗
13. Elies · J. Phys. D · 1993 · 26 · 15910.1088/0022-3727/26/1/026 ↗
14. DeBoeck · Appl. Phys. Lett. · 1991 · 58 · 92810.1063/1.104480 ↗
15. Dobbelaere · Appl. Phys. Lett. · 1989 · 55 · 185610.1063/1.102187 ↗
16. Seong · 1989 · 163 · 907
17. Yen · J. Appl. Phys. · 1988 · 64 · 95210.1063/1.341904 ↗
18. Yen · Appl. Phys. Lett. · 1988 · 52 · 48910.1063/1.99421 ↗
19. Yen · Appl. Phys. Lett. · 1987 · 50 · 92710.1063/1.97982 ↗
20. Chyi · Appl. Phys. Lett. · 1988 · 53 · 109210.1063/1.100031 ↗
21. Lee · Appl. Phys. Lett. · 1985 · 50 · 121910.1063/1.96334 ↗
22. Chiu · J. Appl. Phys. · 1986 · 60 · 20510.1063/1.337682 ↗
23. Ven der Ziel · Appl. Phys. Lett. · 1985 · 47 · 113910.1063/1.96355 ↗
24. Tang · Appl. Phys. Lett. · 1985 · 46 · 28310.1063/1.95659 ↗
25. Fang · J. Appl. Phys. · 1990 · 67 · 703410.1063/1.345050 ↗
26. Chiang · J. Electrochem. Soc. · 1984 · 131 · 242210.1149/1.2115308 ↗
27. Besikci · J. Appl. Phys. · 1994 · 76 · 582010.1063/1.358395 ↗
28. Mao · J. Electron. Mater. · 1994 · 23 · 50310.1007/BF02670651 ↗
29. Mao · J. Phys. Chem. Solids · 1995 · 56 · 75910.1016/0022-3697(94)00264-9 ↗
30. Le · Appl. Phys. Lett. · 1984 · 62 · 152
31. Dobbelaere · Electron. Lett. · 1993 · 29 · 89010.1049/el:19930594 ↗
32. Cheung · Appl. Phys. Lett. · 1977 · 30 · 58710.1063/1.89246 ↗
33. Krier · Semicond. Sci. Technol. · 1995 · 10 · 93010.1088/0268-1242/10/7/005 ↗
34. Tsukamoto · J. Appl. Phys. · 1990 · 67 · 681910.1063/1.345071 ↗
35. Rogalski · Infrared Phys. · 1985 · 25 · 55110.1016/0020-0891(85)90028-4 ↗
36. Sugimura · IEEE J. Quantum. Electron. · 1982 · QE-18 · 35210.1109/JQE.1982.1071543 ↗
37. Wieder · Appl. Phys. Lett. · 1974 · 25 · 20610.1063/1.1655441 ↗
38. Moss · 1993 · Vol. 4
39. Wilson · 1989