Lattice dynamics of Ge 1 −x Sn x alloy nanowires
Source abstract
Abstract
= 0.06 and 0.08 suggests the activation of a third-order stimulated Raman scattering process, due to the high intensity localized electric field surrounding the Sn clusters. Finally, from the temperature-dependent Raman study, we have estimated the isobaric Grüneisen parameters for all the observed modes.
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Research context
OpenAlex topics: Nanowire Synthesis and Applications · Photonic and Optical Devices · Semiconductor materials and interfaces
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Affiliations
Department of Physics, Bose Institute, 93/1 Acharya Prafulla Chandra Road, Kolkata 700009, India
School of Chemistry & Advanced Materials and Bioengineering Research (AMBER) Centre, University College Cork, Cork T12 YN60, Ireland
Department of Physics, Surendranath College, Kolkata 700009, India
Funding
Science and Engineering Research Board · Science Foundation Ireland
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