journal article·2017

Nanoelectromagnetic of the N-doped single wall carbon nanotube in the extremely high frequency band

B. Aïssa, M. Nedil, J. Kroeger, M. I. Hossain, K. Mahmoud, F. Rosei

Nanoscale· Volume 9· Issue 37
Publisher page

Abstract

Materials offering excellent mechanical flexibility, high electrical conductivity and electromagnetic interference (EMI) attenuation with minimal thickness are in high demand, particularly if they can be easily processed into films. Carbon nanotube films deposited on a PDMS substrate combine these requirements. In this work, the potential of single wall carbon nanotubes (SWCNT) deposited on flexible polydimethylsiloxane (PDMS) polymer substrates for EMI attenuation is demonstrated. A 6-micrometer-thick SWCNT film exhibits EMI shielding effectiveness of 24.5 decibels in the extreme high frequency band (EHF), reaching 40 decibels when the SWCNTs are N-doped, which is one of the highest specific EMI attenuation performances optimized with film thickness realized to date. This performance stems from the good electrical conductivity of N-SWCNT films (150 Siemens per centimeter) and possible internal multireflections within the SWCNTs network. The excellent mechanical flexibility and easy coating processing enable them to sheathe complex shaped surfaces while providing high electromagnetic interference attenuation efficiency.
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Research context

OpenAlex topics: Electromagnetic wave absorption materials · Advanced Antenna and Metasurface Technologies · Dielectric materials and actuators

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Affiliations

Institut National de la Recherche Scientifique

Énergie

Matériaux et Télécommunications

J3X 1S2 Varennes

Canada

Telebec Wireless Underground Communication Laboratory

Val d'Or

Raymor Industries Inc.

Boisbriand

Qatar Environment and Energy Research Institute (QEERI)

Hamad Bin Khalifa University

Doha

Qatar

References (52)

Show source-provided references
1. Ma · Proc. IEEE · 1985 · 73 · 38810.1109/PROC.1985.13164 ↗
2. Aïssa · Appl. Phys. Lett. · 2011 · 99 · 18350510.1063/1.3657528 ↗
3. Huang · Mater. Trans. · 2008 · 49 · 65510.2320/matertrans.MER2007252 ↗
4. Dai · Mater. Res. Express · 2017 · 4 · 02560510.1088/2053-1591/aa557c ↗
5. Aïssa · Appl. Surf. Sci. · 2012 · 258 · 548210.1016/j.apsusc.2012.02.047 ↗
6. Yang · Adv. Mater. · 2005 · 17 · 199910.1002/adma.200500615 ↗
7. Lu · 2D Mater. · 2017 · 4 · 02502110.1088/2053-1583/aa57f8 ↗
8. Xiang · Appl. Phys. Lett. · 2005 · 87 · 12310310.1063/1.2051806 ↗
9. Wang · Adv. Funct. Mater. · 2008 · 18 · 299510.1002/adfm.200701406 ↗
10. Bian · Nanotechnology · 2017 · 28 · 04571010.1088/1361-6528/28/4/045710 ↗
11. Shi · J. Appl. Phys. · 2008 · 103 · 1241033
12. Che · Adv. Mater. · 2004 · 16 · 40110.1002/adma.200306460 ↗
13. Im · Carbon · 2009 · 47 · 267010.1016/j.carbon.2009.05.017 ↗
14. Cao · Carbon · 2010 · 48 · 78810.1016/j.carbon.2009.10.028 ↗
15. Shahzad · Science · 2016 · 353 · 113710.1126/science.aag2421 ↗
16. Janas · Nanoscale · 2017 · 9 · 321210.1039/C7NR00224F ↗
17. Hamoudi · Int. J. Electrochem. Sci. · 2012 · 7 · 1222710.1016/S1452-3981(23)16539-4 ↗
18. Pawar · Nanotechnology · 2017 · 28 · 02520110.1088/0957-4484/28/2/025201 ↗
19. Aïssa · J. Appl. Phys. · 2011 · 109 · 08431310.1063/1.3574443 ↗
20. Smiljanic · J. Nanosci. Nanotechnol. · 2004 · 4 · 100510.1166/jnn.2004.133 ↗
21. Aïssa · Appl. Phys. Lett. · 2012 · 101 · 04312110.1063/1.4739939 ↗
22. Bandow · Phys. Rev. Lett. · 1998 · 80 · 377910.1103/PhysRevLett.80.3779 ↗
23. Burghard · Small · 2005 · 1 · 18010.1002/smll.200400118 ↗
24. Lebel · Adv. Mater. · 2010 · 22 · 59210.1002/adma.200902192 ↗
25. Dou · Nanotechnology · 2015 · 26 · 04540210.1088/0957-4484/26/4/045402 ↗
26. Moradian · Physica E · 2006 · 35 · 15710.1016/j.physe.2006.07.020 ↗
27. Liu · Nano Lett. · 2008 · 8 · 161310.1021/nl0729734 ↗
28. Das · Composites, Part A · 2000 · 31 · 106910.1016/S1359-835X(00)00064-6 ↗
29. Kim · Appl. Phys. Lett. · 2004 · 84 · 58910.1063/1.1641167 ↗
30. Zhang · Compos. Sci. Technol. · 2007 · 67 · 297310.1016/j.compscitech.2007.05.011 ↗
31. Chung · Carbon · 2001 · 39 · 27910.1016/S0008-6223(00)00184-6 ↗
32. Xiang · Ceram. Int. · 2007 · 33 · 129310.1016/j.ceramint.2006.05.001 ↗
33. Li · IEEE Trans. Electron Devices · 2009 · 56 · 220210.1109/TED.2009.2028395 ↗
34. Ling · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2013 · 5 · 267710.1021/am303289m ↗
35. Yan · J. Mater. Chem. · 2012 · 22 · 1877210.1039/c2jm32692b ↗
36. Li · RSC Adv. · 2015 · 5 · 2434210.1039/C4RA16421K ↗
37. Shen · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2013 · 5 · 1138310.1021/am4036527 ↗
38. Yang · Nano Lett. · 2005 · 5 · 213110.1021/nl051375r ↗
39. Zeng · Adv. Funct. Mater. · 2016 · 26 · 30310.1002/adfm.201503579 ↗
40. Zhang · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2016 · 8 · 742210.1021/acsami.5b12072 ↗
41. Moglie · Carbon · 2012 · 50 · 197210.1016/j.carbon.2011.12.053 ↗
42. Ji · Appl. Surf. Sci. · 2014 · 311 · 35110.1016/j.apsusc.2014.05.067 ↗
43. Ma · RSC Adv. · 2015 · 5 · 6528310.1039/C5RA09507G ↗
44. Ameli · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2014 · 6 · 1109110.1021/am500445g ↗
45. Yan · Adv. Funct. Mater. · 2015 · 25 · 55910.1002/adfm.201403809 ↗
46. Song · J. Mater. Chem. A · 2015 · 3 · 209710.1039/C4TA05939E ↗
47. Agnihotri · RSC Adv. · 2015 · 5 · 4376510.1039/C4RA15674A ↗
48. Pande · RSC Adv. · 2014 · 4 · 1383910.1039/c3ra47387b ↗
49. Al-Saleh · Carbon · 2013 · 60 · 14610.1016/j.carbon.2013.04.008 ↗
50. Arjmand · Carbon · 2012 · 50 · 512610.1016/j.carbon.2012.06.053 ↗
51. Ghosh · Eur. Polym. J. · 2000 · 36 · 104310.1016/S0014-3057(99)00157-3 ↗
52. Shui · J. Electron. Mater. · 1997 · 26 · 92810.1007/s11664-997-0276-4 ↗