Defect-free thin InAs nanowires grown using molecular beam epitaxy
Source abstract
Abstract
In this study, we designed a simple method to achieve the growth of defect-free thin InAs nanowires with a lateral dimension well below their Bohr radius on different substrate orientations. By depositing and annealing a thin layer of Au thin film on a (100) substrate surface, we have achieved the growth of defect-free uniform-sized thin InAs nanowires. This study provides a strategy to achieve the growth of pure defect-free thin nanowires.
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Research context
OpenAlex topics: Nanowire Synthesis and Applications · Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design · Electronic and Structural Properties of Oxides
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Materials Engineering
The University of Queensland
QLD 4072, Australia
National Laboratory for Infrared Physics
Shanghai Institute of Technical Physics
Chinese Academy of Sciences
Shanghai 200083, China
Centre for Microscopy and Microanalysis
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