Ferromagnetic barrier induced large enhancement of tunneling magnetoresistance in van der Waals perpendicular magnetic tunnel junctions
Source abstract
Abstract
Schematics of TMR effect of FGT/CrI 3 /FGT and FGT/ScI 3 /FGT vdW MTJs.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Heusler alloys: electronic and magnetic properties · Graphene research and applications
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Affiliations
Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), Department of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China
Shenzhen JL Computational Science and Applied Research Institute, Shenzhen 518109, China
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China
Funding
National Key Research and Development Program of China · National Natural Science Foundation of China · China Postdoctoral Science Foundation
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