Large tunneling magnetoresistance in spin-filtering 1T-MnSe 2 /h-BN van der Waals magnetic tunnel junction
Source abstract
Abstract
% with the magnetization information written by an electric field at room temperature. In addition, the performance of the TMR effect exhibits good stability even when the bias voltage increases gradually. Our theoretical findings show that this proposed MTJ is a promising high performance spintronic device and could promote the design of ultralow-power spintronic devices.
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Research context
OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Quantum and electron transport phenomena · Graphene research and applications
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Affiliations
Department of Physics, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui 230009, China
Department of Chemical Physics, Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China
Interdisciplinary Center for Fundamental and Frontier Sciences, Nanjing University of Science and Technology, Jiangyin, Jiangsu, 214443, China
State Key Laboratory of Quantum Optics and Quantum Optics Devices, Shanxi University, Taiyuan 030006, China
School of Materials Science and Engineering, Anhui University, Hefei, Anhui 230601, China
Funding
Fundamental Research Funds for the Central Universities · Anhui Provincial Key Research and Development Plan · National Natural Science Foundation of China
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