No volatilidad en láminas ferroeléctricas de SBT a 75°C

[ES] El estudio de la no volatilidad de una memoria FeRAM de tantalato de bismuto y estroncio, SrBi2Ta2O9 (SBT) en condiciones reales de uso, requiere la caracterización ferroeléctrica del material en forma de lámina delgada a temperaturas por encima del ambiente. Para ello se han depositado láminas de SBT mediante un método sol-gel, sobre substratos de Pt/TiO2/SiO2/Si(100), seleccionándose condensadores de área 5.10-4 cm-2. Basándonos en las medidas de la variación de la polarización con el tiempo (retención) realizadas a temperatura ambiente y a 75ºC, analizamos la viabilidad del material como una FeRAM en condiciones reales de uso.