Conduction-band resonant scattering in Ti-doped Bi 0.5 Sb 1.5 Te 3
Source abstract
Abstract
Ti doping drives a p-to-n transition and distinct mobility responses in Bi 0.5 Sb 1.5− x Ti x Te 3 , with Ti-derived resonant scattering dominating the additional electron scattering, highlighting dopant-induced scattering in low-temperature optimization.
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Thermoelectric Materials and Devices · Topological Materials and Phenomena · Thermal properties of materials
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Affiliations
Interdisciplinary Materials Research Center, School of Materials Science and Engineering, Tongji Univ., 4800 Caoan Rd, Shanghai, 201804, China
Hefei Govisionox Technology Co., Ltd., Xinzhan District, Hefei, 230000, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Shanghai Rising-Star Program · Shanghai Municipal Education Commission
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