Interface phenomena related to the increase of the cathodoluminescence of GaN nanowires covered with HfO x shells
Source abstract
Abstract
The presence of luminescence centers, formed as a result of coating GaN nanowires with HfO x shells, has been demonstrated using cathodoluminescence spectroscopy and mapping, X-ray photoelectron spectroscopy, and X-ray absorption spectroscopy.
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Research context
OpenAlex topics: Nanowire Synthesis and Applications · GaN-based semiconductor devices and materials · ZnO doping and properties
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Affiliations
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotników 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland
National Synchrotron Radiation Centre SOLARIS, Jagiellonian University, Czerwone Maki 98, PL-30392 Krakow, Poland
Faculty of Materials Science and Engineering, Warsaw University of Technology, Wołoska 141, PL-02507 Warsaw, Poland
Funding
Ministerstwo Edukacji i Nauki · Narodowe Centrum Nauki
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