Efficient leakage suppression in TiO 2 dielectric films for dynamic random access memory capacitors via Mg doping
Source abstract
Abstract
Mg doping enables efficient leakage suppression in TiO 2 dielectric films, allowing further equivalent oxide thickness (EOT) scaling for dynamic random-access memory (DRAM) capacitors under stringent leakage-current limits.
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Research context
OpenAlex topics: Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Semiconductor materials and devices · Ferroelectric and Piezoelectric Materials
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Affiliations
Department of Materials Science and Engineering, and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea
References (60)
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