Demonstration of the strontium oxide resistive memory with high OFF/ON resistance ratio and high reliability fabricated using a sol–gel process
Source abstract
Abstract
A high-performance sol–gel SrO x WORM memory is developed. By controlling annealing for film compaction and oxygen vacancies, an exceptional R OFF / R ON of 10 6 and 50–60 ns write speed are achieved.
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Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Semiconductor materials and devices · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
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Affiliations
Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan
School of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul, 04620, South Korea
Funding
National Science and Technology Council
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