Band and contact engineering in Ga 2 O 3 UV photodetectors and X-ray detectors
Source abstract
Abstract
This study discusses the recent research on the band and contact engineering techniques for Ga 2 O 3 detectors, compares the device performance, and identifies future development challenges.
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Research context
OpenAlex topics: Ga2O3 and related materials · GaN-based semiconductor devices and materials · Thin-Film Transistor Technologies
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
School of Integrated Circuits, Hubei University, Wuhan 430062, China
School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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