Electrode-dependent interfacial reactions and Ru loss suppression during ozone-based atomic layer deposition of TiO 2 on Ru- and RuO 2 -based electrodes
Source abstract
Abstract
This study investigates electrode-dependent interfacial reactions occurring during ozone-based atomic layer deposition (ALD) of rutile TiO 2 thin films on Ru- and RuO 2 -based bottom electrodes for dynamic random-access memory (DRAM) capacitors.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Department of Materials Science and Engineering, and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea
Department of Chemical and Biological Engineering, Sookmyung Women's University, Seoul, 04310, Republic of Korea
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