Bias-dependent layer-resolved Raman evidence for interfacial asymmetry in vertical graphene/MoSe 2 /graphene junctions on SiO 2 /Si substrates
Source abstract
Abstract
Bias-dependent Raman spectroscopy reveals unequal electrostatic responses in vertical Gr/MoSe 2 /Gr junctions, linking interfacial asymmetry to hysteretic and temperature-dependent transport characteristics.
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Research context
OpenAlex topics: Graphene research and applications · 2D Materials and Applications · Thermal properties of materials
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Affiliations
Quantum Information Display Laboratory, Department of Information Display, Kyung Hee University, 26, Kyungheedae-ro, Dongdaemun-gu, Seoul, 02447, Republic of Korea
Laboratory for Quantum Magnetism, Institute of Physics, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland
Funding
National Research Foundation of Korea
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