A reconfigurable Al 2 S 3 /LuCl 2 multiferroic tunnel junction with giant tunneling electroresistance and magnetoresistance for high-performance memory
Source abstract
Abstract
A reconfigurable Al 2 S 3 /LuCl 2 vdW multiferroic tunnel junction achieves a TER of ∼7 × 10 11 %, a TMR of ∼6 × 10 8 %, and 100% spin-injection efficiency, enabling multi-state memory and logic functionality.
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Research context
OpenAlex topics: Multiferroics and related materials · 2D Materials and Applications · Heusler alloys: electronic and magnetic properties
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Affiliations
School of Integrated Circuits, Anhui University, Hefei, Anhui, 230601, China
Funding
Natural Science Foundation of Anhui Province · National Natural Science Foundation of China · Anhui Provincial Department of Education
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