journal article·2026

High-performance p-type MOSFETs based on Janus MoSTe for sub-5 nm CMOS scaling

X. Jia, X. Zhang, S. C. Yan, X. Guo, Z. X. Song, Zhi-Xin Guo

Journal of Materials Chemistry C· Volume 14· Issue 26
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Abstract

Janus MoSTe enables ultra-scaled p-type MOSFETs with exceptional on-current and gate-length scalability, offering a high-performance route beyond the conventional p-type limit in 2D electronics.
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Research context

OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Transition Metal Oxide Nanomaterials · Advanced Sensor and Energy Harvesting Materials

SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.

Affiliations

State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, School of Materials Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi, 710049, China

School of Mechanical and Materials Engineering, Xi’an University, Xi’an, 710065, China

College of Physics and Electronic Information, Inner Mongolia Minzu University, Tongliao, 028000, China

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