Transport characteristics of 2DHG in p-GaN/AlGaN/GaN heterojunctions: the impact of Mg dopant activation
Source abstract
Abstract
Study on p-GaN/AlGaN: Mg activation depends on the annealing environment and temperature, with N 2 + O 2 being the most effective. The 2DHG at the interface is independent of dopant activation in the p-GaN layer.
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Research context
OpenAlex topics: GaN-based semiconductor devices and materials · Semiconductor Quantum Structures and Devices · Photocathodes and Microchannel Plates
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Affiliations
CNR-IMM, Unit of Agrate Brianza, Via C. Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza, Italy
Università del Piemonte Orientale “A. Avogadro”, Viale T. Michel 11, 15121, Alessandria, Italy
STMicroelectronics, Via C. Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza, Italy
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