Spectroscopic investigation of bandwidth control effects on the Mott–Hubbard state in epitaxial RVO 3 (R = La, Pr, Y) thin films
Source abstract
Abstract
Electronic structure analysis via VBS and XAS spectra reveals the Mott–Hubbard type insulating nature of RVO 3 thin films.
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Research context
OpenAlex topics: Electronic and Structural Properties of Oxides · Solid State Laser Technologies · Luminescence Properties of Advanced Materials
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Affiliations
Department of Physics and Photonics Science, National Institute of Technology, Hamirpur, India
Advanced Analysis Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, Republic of Korea
UGC-DAE Consortium for Scientific Research, University Campus, Khandwa Road, Indore, India
Department of Materials Science and Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, India
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