Ab initio insights into radiation-induced defects and band-gap evolution in α-, β-, and κ-Ga 2 O 3
Source abstract
Abstract
Ab initio molecular dynamics reveals anisotropic threshold displacement energies and radiation-induced defect formation in α-, β-, and κ-Ga 2 O 3 , showing oxygen-dominated damage and defect-driven band-gap modulation under irradiation.
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Research context
OpenAlex topics: Ga2O3 and related materials · Photocathodes and Microchannel Plates · GaN-based semiconductor devices and materials
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Affiliations
Inter-University Accelerator Center, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi, India
Department of Physics, Indian Institute of Technology, Hauz Khas, New Delhi, 110067, India
Funding
Inter-University Accelerator Centre
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