Barrier-thickness-engineered giant magnetotransport and multi-level storage in a CrTe ₂ /Al ₂ S ₃ van der Waals multiferroic junction

Yunlai Zhu; Ke Wang; Chaotong Xie; Tao Jiang; Yong Zhang; Zhongren Ye; Xiaoling Wu; Haotian Tang; Xi Sun; Tong Zhu; Zuyu Xu; Zhe Feng; Lihua Xu; Wendong Lu; Zuheng Wu; Yuehua Dai

doi:10.1039/d5tc04126k

journal article·2026

Barrier-thickness-engineered giant magnetotransport and multi-level storage in a CrTe ₂ /Al ₂ S ₃ van der Waals multiferroic junction

Yunlai Zhu, Ke Wang, Chaotong Xie, Tao Jiang, Yong Zhang, Zhongren Ye, Xiaoling Wu, Haotian Tang, Xi Sun, Tong Zhu, Zuyu Xu, Zhe Feng, Lihua Xu, Wendong Lu, Zuheng Wu, Yuehua Dai

Journal of Materials Chemistry C· Volume 14· Issue 13

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Source abstract

Abstract

A bilayer Al ₂ S ₃ barrier in a CrTe ₂ /Al ₂ S ₃ /CrTe ₂ MFTJ boosts TER to 3912%, TMR to 124.7%, and enables six non-volatile states with spin-filtering and NDR for multi-level memory.

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Research context

OpenAlex topics: 2D Materials and Applications · Multiferroics and related materials · Magnetic and transport properties of perovskites and related materials

SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.

Affiliations

School of Integrated Circuits, Anhui University, Hefei, Anhui, 230601, China

Funding

Natural Science Foundation of Anhui Province · National Natural Science Foundation of China

References (54)

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