Charge carrier dynamics modulation of Ag x InS 2 thin films for high-performance photodetection
Source abstract
Abstract
Charge carrier dynamics of Ag 0.8 InS 2 films were characterized via transient absorption, which facilitated the rational fabrication of associated devices. The optimized devices achieve UV-visible switchable photoresponse with high performance.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Chalcogenide Semiconductor Thin Films · Quantum Dots Synthesis And Properties · Phase-change materials and chalcogenides
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Key Lab of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education of China, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan, 430072, China
Wuhan University Shenzhen Research Institute, Shenzhen 518057, China
Micius Laboratory, Henan Academy of Sciences, Zhengzhou 450001, China
Funding
Basic and Applied Basic Research Foundation of Guangdong Province · National Natural Science Foundation of China · Wuhan Municipal Science and Technology Bureau
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