Suppressing the current leakage and voltage drift in indium-modified electrical switching devices
Source abstract
Abstract
Increasing the In content suppresses the leakage current and slows the V th drift of In–Te OTS devices by reducing homopolar Te–Te bonding.
Only a short abstract or summary was supplied by the source.
Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Phase-change materials and chalcogenides · Advanced Memory and Neural Computing · Thin-Film Transistor Technologies
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, School of Integrated Circuits, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
School of Integrated Circuits, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, China
Funding
Fundamental Research Funds for the Central Universities · National Science and Technology Major Project · National Natural Science Foundation of China
References (59)
Show source-provided references
1. Salahuddin · Nat. Electron. · 2018 · 1 · 44210.1038/s41928-018-0117-x ↗
2. Zuo · J. Semicond. · 2023 · 44 · 05310210.1088/1674-4926/44/5/053102 ↗
3. Burr · J. Vac. Sci. Technol., B:Nanotechnol. Microelectron.:Mater., Process., Meas., Phenom. · 2014 · 32 · 040802
4. Endoh · IEEE J. Emerg. Sel. Top. Circuits Syst. · 2016 · 6 · 10910.1109/JETCAS.2016.2547704 ↗
5. Shen · Adv. Mater. · 2023 · 35 · 220806510.1002/adma.202208065 ↗
6. Xu · Nat. Comput. Sci. · 2025 · 5 · 117810.1038/s43588-025-00844-3 ↗
7. Xu · Adv. Funct. Mater. · 2020 · 30 · 200341910.1002/adfm.202003419 ↗
8. Ding · Science · 2019 · 366 · 21010.1126/science.aay0291 ↗
9. Xu · InfoMat · 2025 · 7 · e7000610.1002/inf2.70006 ↗
10. Zhu · MRS Bull. · 2019 · 44 · 71510.1557/mrs.2019.206 ↗
11. Jia · Nat. Commun. · 2020 · 11 · 463610.1038/s41467-020-18382-z ↗
12. Garbin · IEEE Int. Electron Devices Meet. · 2019 · 35.31.31
13. A.Verdy , M.Bernard , N.Castellani , P.Noé , J.Garrione , G.Bourgeois , M. C.Cyrille , G.Navarro and E.Nowak , IEEE 11th International Memory Workshop (IMW) , 2019 , 1–4
14. Shen · Science · 2021 · 374 · 139010.1126/science.abi6332 ↗
15. Ban · Adv. Electron. Mater. · 2024 · 11 · 240066510.1002/aelm.202400665 ↗
16. Zhao · Nanomicro Lett. · 2024 · 16 · 81
17. Wu · Nat. Commun. · 2023 · 14 · 609510.1038/s41467-023-41643-6 ↗
18. Koo · IEEE Electron Device Lett. · 2017 · 38 · 56810.1109/LED.2017.2685435 ↗
19. Ban · IEEE Electron Device Lett. · 2022 · 43 · 64310.1109/LED.2022.3152207 ↗
20. Wu · Nanomaterials · 2023 · 13 · 111410.3390/nano13061114 ↗
21. Koo · Sci. Rep. · 2018 · 8 · 1182210.1038/s41598-018-30207-0 ↗
22. Saito · Mater. Horiz. · 2023 · 10 · 225410.1039/D2MH01449A ↗
23. Zhao · Adv. Funct. Mater. · 2025 · 35 · 257013510.1002/adfm.202570135 ↗
24. S.Ban , J.Lee , T.Kim and H.Hwang , IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits, 2023 , pp. 1–2
25. Zhang · Mater. Today · 2020 · 41 · 15610.1016/j.mattod.2020.07.016 ↗
26. Yoo · IEEE Electron Device Lett. · 2020 · 41 · 19110.1109/LED.2019.2957860 ↗
27. Z.Chai , W.Zhang , R.Degraeve , S.Clima , F.Hatem , J. F.Zhang , P.Freitas , J.Marsland , A.Fantini , D.Garbin , L.Goux and G. S.Kar , IEEE Symposium on VLSI Technology, 2019 , pp. T238–T239
28. Raty · Nat. Commun. · 2015 · 6 · 746710.1038/ncomms8467 ↗
29. Cheng · IEEE Int. Electron Devices Meet. · 2017 · 2.2.1
30. J.Lee , S.Kim , S.Lee , S.Ban , S.Heo , D.Lee , O.Mosendz and H.Hwang , IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits, 2022 , pp. 320–321
31. Clima · Microelectron. Eng. · 2019 · 215 · 11099610.1016/j.mee.2019.110996 ↗
32. Li · Appl. Electron. Mater. · 2023 · 5 · 349910.1021/acsaelm.3c00516 ↗
33. Choi · Adv. Sci. · 2024 · 11 · 240403510.1002/advs.202404035 ↗
34. Lee · Appl. Phys. Lett. · 2021 · 118 · 21210310.1063/5.0049568 ↗
35. Velea · Sci. Rep. · 2017 · 7 · 810310.1038/s41598-017-08251-z ↗
36. Hu · IEEE Trans. Electron Devices · 2023 · 70 · 81210.1109/TED.2022.3231233 ↗
37. Yang · Adv. Sci. · 2022 · 9 · 210347810.1002/advs.202103478 ↗
38. Zhu · Nat. Commun. · 2019 · 10 · 352510.1038/s41467-019-11506-0 ↗
39. Zhou · IEEE Electron Device Lett. · 2022 · 43 · 106110.1109/LED.2022.3179590 ↗
40. Ciocchini · IEEE Trans. Electron Devices · 2012 · 59 · 308410.1109/TED.2012.2214784 ↗
41. Wen · IEEE Electron Device Lett. · 2025 · 46 · 11510.1109/LED.2024.3495778 ↗
42. Coulter · Phys. Status Solidi B · 2018 · 255 · 170039310.1002/pssb.201700393 ↗
43. Lee · J. Alloys Compd. · 2024 · 973 · 17286310.1016/j.jallcom.2023.172863 ↗
44. Clima · Solid-State Electron. · 2024 · 214 · 10887610.1016/j.sse.2024.108876 ↗
45. Wang · CrystEngComm · 2011 · 13 · 295510.1039/c1ce00010a ↗
46. Emziane · Mater. Chem. Phys. · 1999 · 61 · 22910.1016/S0254-0584(99)00143-1 ↗
47. Wu · Nanoscale Adv. · 2023 · 5 · 241810.1039/D3NA00142C ↗
48. Liu · Nanomaterials · 2020 · 10 · 188710.3390/nano10091887 ↗
49. Hatayama · Acta Mater. · 2023 · 258 · 11920910.1016/j.actamat.2023.119209 ↗
50. Lee · IEEE Electron Device Lett. · 2023 · 44 · 146810.1109/LED.2023.3297992 ↗
51. Clima · Phys. Status Solidi RRL · 2020 · 14 · 190067210.1002/pssr.201900672 ↗
52. Ielmini · J. Appl. Phys. · 2007 · 102 · 05451710.1063/1.2773688 ↗
53. Fantini · Adv. Electron. Mater. · 2023 · 9 · 230003710.1002/aelm.202300037 ↗
54. Clima · ACS Appl. Electron. Mater. · 2023 · 5 · 46110.1021/acsaelm.2c01458 ↗
55. Slassi · Adv. Electron. Mater. · 2023 · 9
56. Moon · ACS Appl. Mater. Interfaces · 2025 · 17 · 5726010.1021/acsami.5c12334 ↗
57. Kresse · Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. · 1996 · 54 · 1116910.1103/PhysRevB.54.11169 ↗
58. Perdew · Phys. Rev. Lett. · 1996 · 77 · 386510.1103/PhysRevLett.77.3865 ↗
59. Hafner · J. Comput. Chem. · 2008 · 29 · 204410.1002/jcc.21057 ↗