High-resolution direct laser writing nanolithography enabled by oxidation-mediated corrosion selectivity in N-doped Sb heat-mode resists
Source abstract
Abstract
The NSb thin film is proposed as a positive-tone resist suitable for direct laser writing and dry etching, offering a developing selectivity of 6.1 and a Si-to-NSb selectivity of 34.0. Features of 60 nm are patterned with a period of 160 nm.
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Research context
OpenAlex topics: Nonlinear Optical Materials Studies · Nanofabrication and Lithography Techniques · Laser Material Processing Techniques
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Affiliations
Suzhou Key Laboratory for Nanophotonic and Nanoelectronic Materials and Its Devices, School of Materials Science and Engineering, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou, 215009, Jiangsu Province, China
Funding
National Natural Science Foundation of China
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