Improved on/off ratio in interface-type memristors with an ion irradiation-induced large Schottky barrier for neuromorphic computing
Source abstract
Abstract
Characterization and switch ratio comparison diagram of D 0 and D 4 devices.
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Source: crossref · Quality: short
Research context
OpenAlex topics: Advanced Memory and Neural Computing · Ferroelectric and Negative Capacitance Devices · Transition Metal Oxide Nanomaterials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
College of Physics Science, Qingdao University, Qingdao 266071, People's Republic of China
College of Electronic and Information Engineering, Qingdao University, Qingdao 266071, People's Republic of China
Shandong Provincial Key Laboratory of Nuclear Science, Nuclear Energy Technology and Comprehensive Utilization, School of Nuclear Science, Energy and Power Engineering, Shandong University, Jinan 250061, People's Republic of China
Funding
Natural Science Foundation of Shandong Province · National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University · National Natural Science Foundation of China
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