Topological spin dynamics in Eu-doped SnTe using spin resonance and magnetic measurements
Source abstract
Abstract
Eu doping in SnTe raises vacancy formation energy, lowers Sn vacancies, and induces strain and impurity-driven scattering, yielding anisotropic spin–flop transitions and enhanced WAL for quantum device applications.
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Research context
OpenAlex topics: Topological Materials and Phenomena · Heusler alloys: electronic and magnetic properties · ZnO doping and properties
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Affiliations
School of Nano Science and Technology, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, West Bengal, India
Department of Physics, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, West Bengal, India
Funding
Human Resource Development Group
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