Realization of a high Chern number quantum anomalous Hall effect in ferromagnetic monolayer NiAl 2 Se 4 from the 120° antiferromagnetic state via doping and strain regulations
Source abstract
Abstract
The QAHE, characterized by Chern number C = 2, can be attained in tensile-strained monolayer NiAl 2 Se 4 when the hole-doping concentration is 1.0 holes per unit cell. This is promising for the experimental exploration of topological spintronics.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Topological Materials and Phenomena · Rare-earth and actinide compounds · Chemical and Physical Properties of Materials
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Key Laboratory for Anisotropy and Texture of Materials (Ministry of Education), School of Material Science and Engineering, Northeastern University, Shenyang 110819, China
Department of Physics, Freie Universität Berlin, Berlin 14195, Germany
Department of Chemistry, COMSATS University Islamabad, Abbottabad Campus, Abbottabad 22060, Khyber Pakhtunkhwa, Pakistan
Funding
National Natural Science Foundation of China · Liaoning Revitalization Talents Program
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