Mechanistic insights into the dry oxidation of amorphous silicon nitride: a DFT study
Source abstract
Abstract
O defects in amorphous Si 3 N 4 behave very differently compared to the crystalline phase. Local excess of O defects facilitates the initial substitution of N, rationalising the exceptional oxidation resistance and measured NO : N 2 formation ratios.
Source: crossref · Quality: baseline
Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · GaN-based semiconductor devices and materials · Advanced ceramic materials synthesis
SciVX discovery tags are terminology-based. OpenAlex topics are source-provided classifications.
Affiliations
Leiden Institute of Chemistry, Gorlaeus Laboratories, Leiden University, P.O. Box 9502, 2300 RA, Leiden, The Netherlands
Advanced Research Center for Nanolithography, Science Park 106, 1098 XG, Amsterdam, The Netherlands
Institute for Theoretical Physics, University of Amsterdam, Science Park 904, Amsterdam, 1098 XH, The Netherlands
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