The GaN/MgAl 2 S 4 heterojunction: an excellent candidate material for photodetectors
Source abstract
Abstract
The GaN/MgAl 2 S 4 van der Waals heterojunction is successfully constructed, demonstrating exceptional photodetection capabilities with a photocurrent peak of 0.818 a 0 2 per photon and an extinction ratio peak of 222.25.
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Research context
OpenAlex topics: Inorganic Fluorides and Related Compounds · Ga2O3 and related materials · GaN-based semiconductor devices and materials
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Affiliations
School of Science, Xi’an University of Technology, Xi’an 710054, China
School of Automation and Information Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, China
Funding
National Natural Science Foundation of China · Key Research and Development Projects of Shaanxi Province
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