Tunable Schottky barrier of GaSe/graphene heterostructure via asymmetric O doping
Source abstract
Abstract
By asymmetric O doping modulation, the Schottky barrier of a GaSe/graphene heterostructure can be effectively lowered.
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Research context
OpenAlex topics: Solid-state spectroscopy and crystallography · Semiconductor materials and interfaces · Phase-change materials and chalcogenides
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Affiliations
School of Science, Hubei University of Technology, Wuhan, 430068, China
School of Materials and Chemical Engineering, Hubei University of Technology, Wuhan, 430068, China
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