The leakage current suppression mechanism in a RuO 2 /SrTiO 3 /Ru capacitor induced by introduction of an ultra-thin GeO 2 interfacial layer at the bottom interface
Source abstract
Abstract
An ultrathin GeO 2 layer effectively passivates the STO/Ru BE interface and compensates oxygen vacancies within the STO layer, thereby significantly suppressing leakage current in an MIM capacitor.
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Research context
OpenAlex topics: Semiconductor materials and devices · Ferroelectric and Piezoelectric Materials · Advanced Memory and Neural Computing
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Affiliations
Department of Materials Science and Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea
Electronic and Hybrid Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul 02792, Korea
Department of Chemical and Biological Engineering, Sookmyung Women's University, Seoul, 04310, Republic of Korea
Funding
National Research Foundation of Korea
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